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| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRFF110 construit près: |
Transistor MOSFET De Puissance De 3.Ä/100V/0,600 Ohms/N-Canal | Téléchargement IRFF110 datasheet de Intersil |
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À canal N à enrichissement porte silicium TMOS petit signal transistor à effet de champ. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRFF113, |
Téléchargement IRFF110 datasheet de Motorola |
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N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 3.5A courant. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRFF112, IRFF111, |
Téléchargement IRFF110 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 179 kb |
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100V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äf D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: 2N6782, JANTX2N6782, JANTXV2N6782, |
Téléchargement IRFF110 datasheet de International Rectifier |
pdf 136 kb |
IRFF024 | Vue IRFF110 à notre catalogue | IRFF111 |