|
| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
|
Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRFF112 construit près: |
N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 3.0A courant. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRFF110, IRFF111, IRFF113, |
Téléchargement IRFF112 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 179 kb |
IRFF111 | Vue IRFF112 à notre catalogue | IRFF113 |