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| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRFF120 construit près: |
N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 6.0A courant. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRFF122, IRFF121, IRFF123, |
Téléchargement IRFF120 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
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Transistor MOSFET De Puissance De 6.0A/100V/0,300 Ohms/N-Canal | Téléchargement IRFF120 datasheet de Intersil |
pdf 328 kb |
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100V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äf D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: 2N6788, JANTX2N6788, JANTXV2N6788, |
Téléchargement IRFF120 datasheet de International Rectifier |
pdf 137 kb |
IRFF113 | Vue IRFF120 à notre catalogue | IRFF121 |