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IRFF122 construit près: |
N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 5.0A courant. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRFF121, IRFF120, IRFF123, |
Téléchargement IRFF122 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
IRFF121 | Vue IRFF122 à notre catalogue | IRFF123 |