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2SA1012 Vorbei Hergestellt: |
EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP (PCT PROZESS) HOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG ANWENDUNGEN. | Download 2SA1012 datasheet von TOSHIBA |
pdf 220 kb |
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ENERGIE TRANSISTORS(5A, 50v, 25w) | Download 2SA1012 datasheet von MOSPEC Semiconductor |
pdf 122 kb |
2SA1011 | Ansicht 2SA1012 zu unserem Katalog | 2SA1013 |