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BU208D Vorbei Hergestellt: |
NPN, Horizontalablenkung Transistor mit integriertem Dämpfungsdiode. Vceo = 700 Vdc, Vces = 1500VDC VEB = 5VDC, Ic = 5Adc, PD = 60W. | Download BU208D datasheet von USHA India LTD |
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ENERGIE TRANSISTOREN DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN Andere mit der gleichen Akte für datasheet: BU508DFI, |
Download BU208D datasheet von SGS Thomson Microelectronics |
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ENERGIE TRANSISTOREN DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN | Download BU208D datasheet von ST Microelectronics |
pdf 86 kb |
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SILIKON ZERSTREUTE ENERGIE TRANSISTOR(GENERAL BESCHREIBUNG) | Download BU208D datasheet von Wing Shing Computer Components |
pdf 196 kb |
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60.000W General Purpose NPN Metall kann Transistor. 700V Vceo, 5.000A Ic, 2 hFE. | Download BU208D datasheet von Continental Device India Limited |
pdf 200 kb |
BU208A-D | Ansicht BU208D zu unserem Katalog | BU2090 |