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GT20J311 Vorbei Hergestellt: |
ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N | Download GT20J311 datasheet von TOSHIBA |
pdf 319 kb |
GT20J301 | Ansicht GT20J311 zu unserem Katalog | GT20J321 |