|
| Erste Seite | Alle Hersteller | Durch Funktion | Inhaltsverzeichnis | |
|
Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF152 Vorbei Hergestellt: |
N-Führung Energie MOSFETs/ 40 A 60 V/100 V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF153, IRF151, IRF150-153, IRF150, |
Download IRF152 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 130 kb |
|
33A und 40A, 60V und 100V, 0,055 und 0,08 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Download IRF152 datasheet von Intersil |
pdf 63 kb |
|
N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 33A. | Download IRF152 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 197 kb |
|
N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Download IRF152 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 215 kb |
IRF151 | Ansicht IRF152 zu unserem Katalog | IRF153 |