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| | Erste Seite | Alle Hersteller | Durch Funktion | Inhaltsverzeichnis | |
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| Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| IRF221 Vorbei Hergestellt: | 
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 | 4.0A und 5.0A/ 150V und 200V/ 0.8 und 1.2 Ohm N-Führung Energie MOSFETs Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF223, IRF222, IRF220, |
Download IRF221 datasheet von Intersil |
pdf 73 kb |
 | N-Führung Energie MOSFETs/ 7A/ 150-200V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF622, IRF621, IRF220-223, IRF623, |
Download IRF221 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 170 kb |
 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 5.0A. | Download IRF221 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 166 kb |
 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Download IRF221 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 214 kb |
| IRF2204S | Ansicht IRF221 zu unserem Katalog | IRF222 |