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| | Erste Seite | Alle Hersteller | Durch Funktion | Inhaltsverzeichnis | |
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| Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| IRF241 Vorbei Hergestellt: | 
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 | 16A und 18A, 200V und 150V, 0,18 und 0,22 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF243, IRF242, |
Download IRF241 datasheet von Intersil |
pdf 65 kb |
 | N-Führung Energie MOSFETs/ 18A/ 150-200V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF240-243, IRF240, IRF641, IRF642, IRF643, |
Download IRF241 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 145 kb |
 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | Download IRF241 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 216 kb |
 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 18A. | Download IRF241 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 165 kb |
| IRF240SMD | Ansicht IRF241 zu unserem Katalog | IRF242 |