| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1030001 | Q62702-F664 | PNP SILIKON-RF TRANSISTOREN | Siemens |
| 1030002 | Q62702-F678 | PNP SILIKON-PLANARER TRANSISTOR | Siemens |
| 1030003 | Q62702-F704 | Silikon-Schaltung Diode (für Schnellschaltung) | Siemens |
| 1030004 | Q62702-F721 | NPN Silikon-Transistoren (hohe Durchbruchsspannung L niedrige Kollektor-Emitter Sättigung Spannung) | Siemens |
| 1030005 | Q62702-F722 | PNP Silikon-Transistoren (hohe niedrige Spannung Sättigung Kollektor-Emitter der Durchbruchsspannung) | Siemens |
| 1030006 | Q62702-F739 | Silikon-Schaltung Diode (für Schnellschaltung) | Siemens |
| 1030007 | Q62702-F774 | NPN Silikon Rf Transistor (für lärmarmes WENN und Breitbandverstärker in der Antenne und Nachrichtentechniksysteme am Kollektorstrom von 2mA zu 20mA) | Siemens |
| 1030008 | Q62702-F775 | NPN Silikon Rf Transistor (für Breitbandverstärker bis zu 2 Gigahertz und schnelle nichtgesätigte Schalter am Kollektorstrom von 1 MA zu 20 MA.) | Siemens |
| 1030009 | Q62702-F776 | NPN Silikon Rf Transistor (für Niedrigverzerrung Breitbandverstärker bis zu 2 Gigahertz am Kollektorstrom von 10 MA zu 30 MA.) | Siemens |
| 1030010 | Q62702-F788 | NPN Silikon Rf Transistor (für lärmarme Verstärker in der Gigahertz Strecke und analoge und digitale Breitbandanwendungen) | Siemens |
| 1030011 | Q62702-F803 | PNP Silikon Rf Transistor (für Breitbandverstärker bis zu 2 Gigahertz am Kollektorstrom von 5 MA zu 30 MA.) | Siemens |
| 1030012 | Q62702-F804 | PNP Silikon Rf Transistor (für Breitbandverstärker bis zu 2 Gigahertz am Kollektorstrom bis 20 MA.) | Siemens |
| 1030013 | Q62702-F869 | PNP Silikon Rf Transistor (für OSZILLATOREN, MISCHER UND SELF-OSCILLATING MISCHER-STADIEN in den uhf Fernsehapparat TUNERS) | Siemens |
| 1030014 | Q62702-F884 | PNP Silikon Hoch-Spannung Transistoren (verwendbar für videoausgang Stadien in der hohen Durchbruchsspannung der Fernsehapparat Satz- und Schaltung Spg.Versorgungsteile) | Siemens |
| 1030015 | Q62702-F885 | NPN Silikon Hoch-Spannung Transistoren (verwendbar für videoausgang Stadien in der hohen Durchbruchsspannung der Fernsehapparat Satz- und Schaltung Spg.Versorgungsteile) | Siemens |
| 1030016 | Q62702-F935 | NPN SILIKON-Rf TRANSISTOR (für lineare Breitbandverstärkeranwendungen bis 500 MHZ SÄGE-Filtertreiber in den Fernsehapparat Tuners) | Siemens |
| 1030017 | Q62702-F936 | Führung MOSFET Tetrode des Silikon-N (für Eingang und Mischerstadien in FM und VHF Fernsehapparat Tuners) | Siemens |
| 1030018 | Q62702-F938 | NPN Silikon Rf Transistor (für niedrige Verzerrung Breitbandverstärker und Oszillatoren bis zu 2GHz am Kollektorstrom von 0.5mA zu 20mA) | Siemens |
| 1030019 | Q62702-F940 | NPN Silikon Rf Transistor (für Breitbandverstärker bis zum 1GHz am Kollektorstrom von 1mA zu 20mA) | Siemens |
| 1030020 | Q62702-F944 | PNP Silikon Rf Transistor (für allgemeine Emitterverstärkerstadien bis 300 MHZ für Mischeranwendungen in den AM/FM Radios und IN DEN VHF Fernsehapparat Tuners) | Siemens |
| 1030021 | Q62702-F976 | NPN Silikon Hoch-Spannung Transistoren (verwendbar für videoausgang Stadien in der hohen Durchbruchsspannung der Fernsehapparat Satz- und Schaltung Spg.Versorgungsteile) | Siemens |
| 1030022 | Q62702-F977 | PNP Silikon Hoch-Spannung Transistoren (verwendbar für videoausgang Stadien in der hohen Durchbruchsspannung der Fernsehapparat Satz- und Schaltung Spg.Versorgungsteile) | Siemens |
| 1030023 | Q62702-F979 | NPN Silikon Rf Transistor (niedrige Rückwirkungskapazität des allgemeinen Verstärkers des Emitters IF/RF wegen der Schilddiffusion (Zerstäubung)) | Siemens |
| 1030024 | Q62702-F982 | PNP Silikon Rf Transistor (für VHF Oszillatoranwendungen) | Siemens |
| 1030025 | Q62702-G0041 | Silikon zweipoliger MMIC-Verstärker (kaskadierbare 50 W-gewinnen DB des Blockes 9 typischen Gewinn bei 1.0 Gigahertz 9 dBm typisches P-1dB bei 1.0 Gigahertz 3 DB-Bandbreite: DC zu 2.4 Gigahertz) | Siemens |
| 1030026 | Q62702-G0042 | Silikon zweipoliger MMIC-Verstärker (kaskadierbare 50 W-gewinnen DB des Blockes 11 typischen Gewinn bei 1.0 Gigahertz 9 dBm typisches P-1dB bei 1.0 Gigahertz) | Siemens |
| 1030027 | Q62702-G0043 | Silikon zweipoliger MMIC-Verstärker (kaskadierbare 50 W-gewinnen DB des Blockes 16 typischen Gewinn bei 1.0 Gigahertz 12 dBm typisches P-1dB bei 1.0 Gigahertz) | Siemens |
| 1030028 | Q62702-G0057 | Silikon-MMIC-Amplifierin SIEGET 25-Technologie (kaskadierbarer 50?gain Block unbedingt beständig) | Siemens |
| 1030029 | Q62702-G0058 | Silikon-MMIC-Verstärker in SIEGET 25-Technologie (Multifunktionscasc. 50?block LNA/MISCHUNG unbedingt beständig) | Siemens |
| 1030030 | Q62702-G0067 | Silikon-MMIC-Verstärker in SIEGET 25-Technologie (kaskadierbare 50 W-gewinnen den beständigen Block unbedingt) | Siemens |
| 1030031 | Q62702-G0071 | GaAs MMIC (variabler Gewinnverstärker MMIC-Verstärker für bewegliche Kommunikation Gewinn-Steuerstrecke Über50dB) | Siemens |
| 1030032 | Q62702-G38 | Silikon-Schaltung Diode Reihe (Brücke Konfiguration Schnellschalter-Diode Span) | Siemens |
| 1030033 | Q62702-G44 | GaAs MMIC (monolithischer Mikrowelle IS MMIC-Verstärker für bewegliche Kommunikation) | Siemens |
| 1030034 | Q62702-K0047 | NEU: 2fach-Silizium-PIN-Fotodiode in SMT NEU: Silikon 2-Chip STIFT Fotodiode in SMT | Siemens |
| 1030035 | Q62702-K34 | 6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 6-Chip Silikon STIFT Fotodiode Reihe | Siemens |
| 1030036 | Q62702-K35 | 6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 6-Chip Silikon STIFT Fotodiode Reihe | Siemens |
| 1030037 | Q62702-K8 | 3fach-Silizium-Fotodiodenzeile 3-Chip Silikon-Fotodiode Reihe | Siemens |
| 1030038 | Q62702-L90 | GaAs FET (Endverstärker für bewegliche Telefone für Frequenzen von 400 MHZ zu 2.5 Gigahertz) | Siemens |
| 1030039 | Q62702-L94 | GaAs FET (Endverstärker für bewegliche Telefone für Frequenzen von 400 MHZ zu 2.5 Gigahertz) | Siemens |
| 1030040 | Q62702-L96 | GaAs FET (Endverstärker für bewegliche Telefone für Frequenzen bis zu 3 Gigahertz) | Siemens |
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