| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1058161 | RN2106MFV | Vorspannungswiderstand integrierten Transistors (BRT) | TOSHIBA |
| 1058162 | RN2107 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Schaltung, Inverter-Stromkreis-, Schnittstellenleitung und Treiber-Stromkreis-Anwendungen | TOSHIBA |
| 1058163 | RN2107ACT | Vorspannungswiderstand integrierten Transistors (BRT) | TOSHIBA |
| 1058164 | RN2107CT | Vorspannungswiderstand integrierten Transistors (BRT) | TOSHIBA |
| 1058165 | RN2107F | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Schaltung, Inverter-Stromkreis-, Schnittstellenleitung und Treiber-Stromkreis-Anwendungen | TOSHIBA |
| 1058166 | RN2107FT | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) (schräger Widerstand-eingebauter Transistor) Schaltung, Inverter-Stromkreis-, Schnittstellenleitung und Treiber-Stromkreis-Anwendungen. | TOSHIBA |
| 1058167 | RN2107MFV | Vorspannungswiderstand integrierten Transistors (BRT) | TOSHIBA |
| 1058168 | RN2108 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Schaltung, Inverter-Stromkreis-, Schnittstellenleitung und Treiber-Stromkreis-Anwendungen | TOSHIBA |
| 1058169 | RN2108ACT | Vorspannungswiderstand integrierten Transistors (BRT) | TOSHIBA |
| 1058170 | RN2108CT | Vorspannungswiderstand integrierten Transistors (BRT) | TOSHIBA |
| 1058171 | RN2108F | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Schaltung, Inverter-Stromkreis-, Schnittstellenleitung und Treiber-Stromkreis-Anwendungen | TOSHIBA |
| 1058172 | RN2108FT | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) (schräger Widerstand-eingebauter Transistor) Schaltung, Inverter-Stromkreis-, Schnittstellenleitung und Treiber-Stromkreis-Anwendungen. | TOSHIBA |
| 1058173 | RN2108MFV | Vorspannungswiderstand integrierten Transistors (BRT) | TOSHIBA |
| 1058174 | RN2109 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Schaltung, Inverter-Stromkreis-, Schnittstellenleitung und Treiber-Stromkreis-Anwendungen | TOSHIBA |
| 1058175 | RN2109ACT | Vorspannungswiderstand integrierten Transistors (BRT) | TOSHIBA |
| 1058176 | RN2109CT | Vorspannungswiderstand integrierten Transistors (BRT) | TOSHIBA |
| 1058177 | RN2109F | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Schaltung, Inverter-Stromkreis-, Schnittstellenleitung und Treiber-Stromkreis-Anwendungen | TOSHIBA |
| 1058178 | RN2109FT | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) (schräger Widerstand-eingebauter Transistor) Schaltung, Inverter-Stromkreis-, Schnittstellenleitung und Treiber-Stromkreis-Anwendungen. | TOSHIBA |
| 1058179 | RN2109MFV | Vorspannungswiderstand integrierten Transistors (BRT) | TOSHIBA |
| 1058180 | RN2110 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Schaltung, Inverter-Stromkreis-, Schnittstellenleitung und Treiber-Stromkreis-Anwendungen | TOSHIBA |
| 1058181 | RN2110ACT | Vorspannungswiderstand integrierten Transistors (BRT) | TOSHIBA |
| 1058182 | RN2110CT | Vorspannungswiderstand integrierten Transistors (BRT) | TOSHIBA |
| 1058183 | RN2110F | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Schaltung, Inverter-Stromkreis-, Schnittstellenleitung und Treiber-Stromkreis-Anwendungen | TOSHIBA |
| 1058184 | RN2110FT | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) (schräger Widerstand-eingebauter Transistor) Schaltung, Inverter-Stromkreis-, Schnittstellenleitung und Treiber-Stromkreis-Anwendungen. | TOSHIBA |
| 1058185 | RN2110MFV | Vorspannungswiderstand integrierten Transistors (BRT) | TOSHIBA |
| 1058186 | RN2111 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Schaltung, Inverter-Stromkreis-, Schnittstellenleitung und Treiber-Stromkreis-Anwendungen | TOSHIBA |
| 1058187 | RN2111ACT | Vorspannungswiderstand integrierten Transistors (BRT) | TOSHIBA |
| 1058188 | RN2111CT | Vorspannungswiderstand integrierten Transistors (BRT) | TOSHIBA |
| 1058189 | RN2111F | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Schaltung, Inverter-Stromkreis-, Schnittstellenleitung und Treiber-Stromkreis-Anwendungen | TOSHIBA |
| 1058190 | RN2111FT | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) (schräger Widerstand-eingebauter Transistor) Schaltung, Inverter-Stromkreis-, Schnittstellenleitung und Treiber-Stromkreis-Anwendungen. | TOSHIBA |
| 1058191 | RN2111MFV | Vorspannungswiderstand integrierten Transistors (BRT) | TOSHIBA |
| 1058192 | RN2112 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Schaltung, Inverter-Stromkreis-, Schnittstellenleitung und Treiber-Stromkreis-Anwendungen | TOSHIBA |
| 1058193 | RN2112ACT | Vorspannungswiderstand integrierten Transistors (BRT) | TOSHIBA |
| 1058194 | RN2112CT | Vorspannungswiderstand integrierten Transistors (BRT) | TOSHIBA |
| 1058195 | RN2112F | Epitaxial- Art Des Transistor-Silikon-PNP (Pct Prozeß) Schaltung, Inverter-Stromkreis-, Schnittstellenleitung Und Treiber-Stromkreis-Anwendungen | TOSHIBA |
| 1058196 | RN2112FT | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) (schräger Widerstand-eingebauter Transistor) Schaltung, Inverter-Stromkreis-, Schnittstellenleitung und Treiber-Stromkreis-Anwendungen. | TOSHIBA |
| 1058197 | RN2112MFV | Vorspannungswiderstand integrierten Transistors (BRT) | TOSHIBA |
| 1058198 | RN2113 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Schaltung, Inverter-Stromkreis-, Schnittstellenleitung und Treiber-Stromkreis-Anwendungen | TOSHIBA |
| 1058199 | RN2113ACT | Vorspannungswiderstand integrierten Transistors (BRT) | TOSHIBA |
| 1058200 | RN2113CT | Vorspannungswiderstand integrierten Transistors (BRT) | TOSHIBA |
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