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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
1162561STB20NM60DN-Kanal 600V - 0.26Y - 20A - D2PAKST Microelectronics
1162562STB20NM60T4N-CHANNEL 600V - 0.25 OHM - 20A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDMESH ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1162563STB20PF75P-CHANNEL 75V - 0.10 OHM - 20A DPAK STripFET™II ENERGIE MosfetST Microelectronics
1162564STB20PF75T4P-CHANNEL 75V - 0.10 OHM - 20A DPAK STripFET™II ENERGIE MosfetST Microelectronics
1162565STB210NF02N-CHANNEL 20V - 0.0026 OHM - 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1162566STB210NF02N-CHANNEL 20V - 0.0026 OHM - 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1162567STB210NF02-1N-CHANNEL 20V - 0.0026 OHM - 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1162568STB210NF02-1N-CHANNEL 20V - 0.0026 OHM - 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1162569STB210NF02T4N-CHANNEL 20V - 0.0026 OHM - 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1162570STB21N65M5N-Kanal 650 V, 0.150 Ohm, 17 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in D2PAKST Microelectronics
1162571STB21N90K5N-Kanal 900 V, 0,25 Ohm, 18,5 A D2PAK Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFETST Microelectronics
1162572STB21NK50ZN-Kanal 500 V - 0,23 Y - 17 A - D2PAK Zener-geschützt superMESHTM MOSFETST Microelectronics
1162573STB21NM60NDN-Kanal 600 V, 0,17 Ohm typ. 17 A, FDmesh (TM) II Power MOSFET (Whit schnelle Diode) in D2PAK VerpackungST Microelectronics
1162574STB22NE03LN-CHANNEL 30V - 0.034 OHM - 22A D2PAK STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1162575STB22NE03LN-CHANNEL 30V - 0.034 OHM - 22A D2PAK STRIPFET ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1162576STB22NE03LN - FÜHRUNG 30V - 0.034 Ohm - 22A TO-263 STripFET ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
1162577STB22NM50N-CHANNEL 500 V - 0.16 OHM - 20 Ein TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH ENERGIE MosfetST Microelectronics
1162578STB22NM50-1N-CHANNEL 500 V - 0.16 OHM - 20 Ein TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH ENERGIE MosfetST Microelectronics
1162579STB22NM60N-CHANNEL 600 V - 0.19 OHM - 22 Ein TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH ENERGIE MosfetST Microelectronics



1162580STB22NM60-1N-CHANNEL 600 V - 0.19 OHM - 22 Ein TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH ENERGIE MosfetST Microelectronics
1162581STB22NM60NN-Kanal 600 V, 0,2 Ohm, 16 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in D2PAKST Microelectronics
1162582STB22NS25ZN-CHANNEL 250V 0.13 OHM 22A TO-220/D2PAK ZENER-PROTECTED INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFETST Microelectronics
1162583STB22NS25ZT4N-CHANNEL 250V 0.13 OHM 22A TO-220/D2PAK ZENER-PROTECTED INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFETST Microelectronics
1162584STB23NM50NN-Kanal 500 V, 0.162 Ohm, 17 A, D2PAK MDmesh (TM) II Power MOSFETST Microelectronics
1162585STB23NM60NDN-Kanal 600 V, 0.150 Ohm, 19,5 A, FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) D2PAKST Microelectronics
1162586STB24N60DM2N-Kanal 600 V, 0.175 Ohm typ. 18 A FDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in D2PAK VerpackungST Microelectronics
1162587STB24N60M2N-Kanal 600 V, 0.168 Ohm typ. 18 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in D2PAK VerpackungST Microelectronics
1162588STB24NF10N-CHANNEL 100V - 0.055 OHM - 26A TO-220/D2PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1162589STB24NF10N-CHANNEL 100V - 0.07 OHM - 24A D2PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1162590STB24NF10N - FÜHRUNG 100V - 0.07Ohm - 24A TO-263 NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STripFET ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
1162591STB24NF10T4N-CHANNEL 100V - 0.055 OHM - 26A TO-220/D2PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1162592STB24NM60NN-Kanal 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh (TM) II Power MOSFET D2PAKST Microelectronics
1162593STB24NM65NN-Kanal 650 V - 0,16 Y - 19 A - TO-220 / FP - D2 / I2PAK - TO-247 der zweiten Generation MDmesh ™ Leistungs-MOSFETST Microelectronics
1162594STB25N80K5N-Kanal 800 V, 0,19 Ohm typ. 19,5 A SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in D2PAK VerpackungST Microelectronics
1162595STB25NM50NN-CHANNEL 550V @ TjMAX - 0.12 Ohm - 21.5 A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ZWEITES ERZEUGUNG MDmesh MosfetST Microelectronics
1162596STB25NM50N-1N-CHANNEL 550V @ TjMAX - 0.12 Ohm - 21.5 A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ZWEITES ERZEUGUNG MDmesh MosfetST Microelectronics
1162597STB25NM50NT4N-CHANNEL 550V @ TjMAX - 0.12 Ohm - 21.5 A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ZWEITES ERZEUGUNG MDmesh MosfetST Microelectronics
1162598STB25NM60NN-CHANNEL 650 @Tjmax-0.140&-20A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ZWEITES ERZEUGUNG MDmesh MosfetST Microelectronics
1162599STB25NM60N-1N-CHANNEL 650 @Tjmax-0.140&-20A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ZWEITES ERZEUGUNG MDmesh MosfetST Microelectronics
1162600STB25NM60NDN-Kanal 600 V, 0,13 Ohm typ. 21 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) in D2PAK VerpackungST Microelectronics
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