Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
23081 | 1N5257 | DIODEN DES SILIKON-0.5W PLANARE ZENER | Shanghai Sunrise Electronics |
23082 | 1N5257 | 500 mW Silizium Zenerdiode. Nenn Zenerspannung 33,0 V. | Fairchild Semiconductor |
23083 | 1N5257 | Pd = 500mW, Vz = 33V Zenerdiode | MCC |
23084 | 1N5257A | 33 V, 3,8 mA, Zenerdiode | Leshan Radio Company |
23085 | 1N5257A | Zener Voltage Regulator Diode | Microsemi |
23086 | 1N5257A (DO-35) | Zener Spannung Regler-Diode | Microsemi |
23087 | 1N5257A (DO7) | Zener Spannung Regler-Diode | Microsemi |
23088 | 1N5257AUR-1 | Metallurgisch verbunden Glasoberflächenmontage 500 mW Zener. Nenn Zenerspannung 33 V Toleranz + -10%. | Microsemi |
23089 | 1N5257B | Reihe Halbes Watt Zeners | National Semiconductor |
23090 | 1N5257B | Zeners | Fairchild Semiconductor |
23091 | 1N5257B | Silikon Zener Dioden | Vishay |
23092 | 1N5257B | Zener Dioden | Diodes |
23093 | 1N5257B | Zener Dioden für stabilisiertes Spg.Versorgungsteil | Hitachi Semiconductor |
23094 | 1N5257B | 500mw Epitaxial- Zener Diode | Comchip Technology |
23095 | 1N5257B | ZENER DIODE 2.4 VOLT DURCH 200VOLTS 500ML, 5% TOLERANZ | Central Semiconductor |
23096 | 1N5257B | Zener Diode | Formosa MS |
23097 | 1N5257B | 1N52 REIHE ZENER DIODEN | Leshan Radio Company |
23098 | 1N5257B | Spannung Reglerdioden | Philips |
23099 | 1N5257B | 500MW 5% DO-35 ZENER DIODE | Rectron Semiconductor |
23100 | 1N5257B | TECHNISCHE SPEZIFIKATIONEN DER GLASDIODEN DES SILIKON-ZENER | DC Components |
23101 | 1N5257B | Diodes>Zener | Renesas |
23102 | 1N5257B | 33.0V 500 mW Zener Diode | Continental Device India Limited |
23103 | 1N5257B | 500 Milliwatt Glas Silizium Zenerdiode Zenerspannung 33V | Motorola |
23104 | 1N5257B | Zener Voltage Regulator Diode | Microsemi |
23105 | 1N5257B (DO-35) | Zener Spannung Regler-Diode | Microsemi |
23106 | 1N5257B (DO7) | Zener Spannung Regler-Diode | Microsemi |
23107 | 1N5257B-G | Zener Diodes, PD=0.5Watts, VZ=33V | Comchip Technology |
23108 | 1N5257B-LCC3 | ZENER SPANNUNG REGLER-DIODE IM HERMETISCHEN KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG PAKET FÜR HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT ANWENDUNGEN | SemeLAB |
23109 | 1N5257BTR | 33V, 0.5W Zener Diode | Fairchild Semiconductor |
23110 | 1N5257BUR-1 | Metallurgisch verbunden Glasoberflächenmontage 500 mW Zener. Nenn Zenerspannung 33 V Toleranz + -5%. | Microsemi |
23111 | 1N5257B_T50A | 33V, 0.5W Zener Diode | Fairchild Semiconductor |
23112 | 1N5257B_T50R | 33V, 0.5W Zener Diode | Fairchild Semiconductor |
23113 | 1N5257C | 33 V, 3,8 mA, Zenerdiode | Leshan Radio Company |
23114 | 1N5257UR-1 | Metallurgisch verbunden Glasoberflächenmontage 500 mW Zener. Nenn Zenerspannung 33 V. | Microsemi |
23115 | 1N5258 | ZENER DIODEN | General Semiconductor |
23116 | 1N5258 | Silikon Planare Zener Dioden | Honey Technology |
23117 | 1N5258 | PLANARE ZENER DIODEN DES SILIKON- | GOOD-ARK Electronics |
23118 | 1N5258 | 500 mW Zener Diode 2.4 bis 200 Volt | Micro Commercial Components |
23119 | 1N5258 | ZENER SPANNUNG REGLER-DIODE IM HERMETISCHEN KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG PAKET FÜR HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT ANWENDUNGEN | SemeLAB |
23120 | 1N5258 | PLANARE ZENER DIODEN DES SILIKON- | Surge Components |
| | | |