| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 249321 | BC108A | NPN-Transistor für allgemeine Audio-Verstärker, Kollektor-Emitter = 20V, Kollektorstrom = 0.1A, hFE = 180 | SGS Thomson Microelectronics |
| 249322 | BC108B | npn sisicon Transistor | Siemens |
| 249323 | BC108B | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 249324 | BC108B | 0.600W General Purpose NPN Metall kann der Transistor. 25V Vceo, 0,200A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249325 | BC108B | NPN-Transistor für allgemeine Audio-Verstärker, Kollektor-Emitter = 20V, Kollektorstrom = 0.1A, hFE = 290 | SGS Thomson Microelectronics |
| 249326 | BC108C | npn sisicon Transistor | Siemens |
| 249327 | BC108C | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 249328 | BC108C | 0.600W General Purpose NPN Metall kann der Transistor. 25V Vceo, 0,200A Ic, 100 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249329 | BC108C | NPN-Transistor für allgemeine Audio-Verstärker, Kollektor-Emitter = 20V, Kollektorstrom = 0.1A, hFE = 520 | SGS Thomson Microelectronics |
| 249330 | BC109 | NPN Zweck-Transistor | Philips |
| 249331 | BC109 | Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci ma.ej mocy | Ultra CEMI |
| 249332 | BC109 | Tranzystor krzemowy ma.ej mocy, ma.ej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 249333 | BC109 | NPN SILIKON-PLANARER EPITAXIAL- TRANSISTOR | Micro Electronics |
| 249334 | BC109 | npn sisicon Transistor | Siemens |
| 249335 | BC109 | UNIVERSELLER KLEINER ZWEIPOLIGER TRANSISTOR DES SIGNAL-NPN | SemeLAB |
| 249336 | BC109 | TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 249337 | BC109 | 0.600W General Purpose NPN Metall kann der Transistor. 25V Vceo, 0,200A Ic, 200-800 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249338 | BC109A | npn sisicon Transistor | Siemens |
| 249339 | BC109B | npn sisicon Transistor | Siemens |
| 249340 | BC109B | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 249341 | BC109B | 0.600W General Purpose NPN Metall kann der Transistor. 25V Vceo, 0,200A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249342 | BC109B | NPN-Transistor für allgemeine Audio-Verstärker, Kollektor-Emitter = 20V, Kollektorstrom = 0.1A, hFE = 290 | SGS Thomson Microelectronics |
| 249343 | BC109C | NPN Zwecktransistoren | Philips |
| 249344 | BC109C | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 249345 | BC109C | 0.600W General Purpose NPN Metall kann der Transistor. 25V Vceo, 0,200A Ic, 100 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249346 | BC109C | 30 V, 50 mA, 85 MHz, Silikon-NPN-Transistor | Siemens |
| 249347 | BC109C | NPN-Transistor für allgemeine Audio-Verstärker, Kollektor-Emitter = 20V, Kollektorstrom = 0.1A, hFE = 520 | SGS Thomson Microelectronics |
| 249348 | BC110 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 249349 | BC114ES6R | Minigröße der getrennten Halbleiterelemente | SINYORK |
| 249350 | BC114ES6R | Minigröße der getrennten Halbleiterelemente | SINYORK |
| 249351 | BC114EUS6R | Minigröße der getrennten Halbleiterelemente | SINYORK |
| 249352 | BC114EUS6R | Minigröße der getrennten Halbleiterelemente | SINYORK |
| 249353 | BC114TS6R | Minigröße der getrennten Halbleiterelemente | SINYORK |
| 249354 | BC114TS6R | Minigröße der getrennten Halbleiterelemente | SINYORK |
| 249355 | BC114TUS6R | Minigröße der getrennten Halbleiterelemente | SINYORK |
| 249356 | BC114TUS6R | Minigröße der getrennten Halbleiterelemente | SINYORK |
| 249357 | BC114YS6R | Minigröße der getrennten Halbleiterelemente | SINYORK |
| 249358 | BC114YS6R | Minigröße der getrennten Halbleiterelemente | SINYORK |
| 249359 | BC114YUS6R | Minigröße der getrennten Halbleiterelemente | SINYORK |
| 249360 | BC114YUS6R | Minigröße der getrennten Halbleiterelemente | SINYORK |
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