| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 258121 | BDP496 | Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci du.ej mocy | Ultra CEMI |
| 258122 | BDP947 | Universelle Transistoren - NPN Silikon AF Energie Transistor für AF Treiber- und Ausgangsstadien | Infineon |
| 258123 | BDP947 | NPN Silikon AF Energie Transistoren (für AF Treiber und hohe Stromverstärkung des Ausgang Stadien hohe Kollektorstroms) | Siemens |
| 258124 | BDP948 | Universelle Transistoren - Paket SOT223 | Infineon |
| 258125 | BDP948 | PNP Silikon AF Energie Transistor (für AF Treiber und hohe Stromverstärkung des Ausgang Stadien hohe Kollektorstroms) | Siemens |
| 258126 | BDP949 | Universelle Transistoren - NPN Silikon AF Energie Transistor für AF Treiber- und Ausgangsstadien | Infineon |
| 258127 | BDP949 | NPN Silikon AF Energie Transistoren (für AF Treiber und hohe Stromverstärkung des Ausgang Stadien hohe Kollektorstroms) | Siemens |
| 258128 | BDP950 | Universelle Transistoren - Paket SOT223 | Infineon |
| 258129 | BDP950 | PNP Silikon AF Energie Transistor (für AF Treiber und hohe Stromverstärkung des Ausgang Stadien hohe Kollektorstroms) | Siemens |
| 258130 | BDP951 | Universelle Transistoren - NPN Silikon AF Energie Transistor für AF Treiber- und Ausgangsstadien | Infineon |
| 258131 | BDP951 | NPN Silikon AF Energie Transistoren (für AF Treiber und hohe Stromverstärkung des Ausgang Stadien hohe Kollektorstroms) | Siemens |
| 258132 | BDP952 | Universelle Transistoren - Paket SOT223 | Infineon |
| 258133 | BDP952 | PNP Silikon AF Energie Transistor (für AF Treiber und hohe Stromverstärkung des Ausgang Stadien hohe Kollektorstroms) | Siemens |
| 258134 | BDP953 | Universelle Transistoren - NPN Silikon AF Energie Transistor für AF Treiber- und Ausgangsstadien | Infineon |
| 258135 | BDP953 | NPN Silikon AF Energie Transistoren (für AF Treiber und hohe Stromverstärkung des Ausgang Stadien hohe Kollektorstroms) | Siemens |
| 258136 | BDP954 | Universelle Transistoren - Paket SOT223 | Infineon |
| 258137 | BDP954 | PNP Silikon AF Energie Transistor (für AF Treiber und hohe Stromverstärkung des Ausgang Stadien hohe Kollektorstroms) | Siemens |
| 258138 | BDP955 | Universelle Transistoren - NPN Silikon AF Energie Transistor für AF Treiber- und Ausgangsstadien | Infineon |
| 258139 | BDP955 | NPN Silikon AF Energie Transistoren (für AF Treiber und hohe Stromverstärkung des Ausgang Stadien hohe Kollektorstroms) | Siemens |
| 258140 | BDP956 | Universelle Transistoren - Paket SOT223 | Infineon |
| 258141 | BDP956 | PNP Silikon AF Energie Transistor (für AF Treiber und hohe Stromverstärkung des Ausgang Stadien hohe Kollektorstroms) | Siemens |
| 258142 | BDS10 | EPITAXIAL- UNTERSEITE DES SILIKON-NPN KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SMD1 PAKETEN IN DEN METALL-TO220 UND | SemeLAB |
| 258143 | BDS10IG | EPITAXIAL- UNTERSEITE DES SILIKON-NPN PAKET IM METALLTO257 | SemeLAB |
| 258144 | BDS10SMD | EPITAXIAL- UNTERSEITE DES SILIKON-NPN KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SMD1 PAKETEN IN DEN METALL-TO220 UND | SemeLAB |
| 258145 | BDS11 | EPITAXIAL- UNTERSEITE DES SILIKON-NPN KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SMD1 PAKETEN IN DEN METALL-TO220 UND | SemeLAB |
| 258146 | BDS11IG | EPITAXIAL- UNTERSEITE DES SILIKON-NPN PAKET IM METALLTO257 | SemeLAB |
| 258147 | BDS11SMD | EPITAXIAL- UNTERSEITE DES SILIKON-NPN KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SMD1 PAKETEN IN DEN METALL-TO220 UND | SemeLAB |
| 258148 | BDS12 | EPITAXIAL- UNTERSEITE DES SILIKON-NPN KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SMD1 PAKETEN IN DEN METALL-TO220 UND | SemeLAB |
| 258149 | BDS12IG | EPITAXIAL- UNTERSEITE DES SILIKON-NPN PAKET IM METALLTO257 | SemeLAB |
| 258150 | BDS12SMD | EPITAXIAL- UNTERSEITE DES SILIKON-NPN KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SMD1 PAKETEN IN DEN METALL-TO220 UND | SemeLAB |
| 258151 | BDS13 | EPITAXIAL- UNTERSEITE DES SILIKON-PNP KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SMD1 PAKETEN IN DEN METALL-TO220 UND | SemeLAB |
| 258152 | BDS13SMD | EPITAXIAL- UNTERSEITE DES SILIKON-PNP KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SMD1 PAKETEN IN DEN METALL-TO220 UND | SemeLAB |
| 258153 | BDS14 | EPITAXIAL- UNTERSEITE DES SILIKON-PNP KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SMD1 PAKETEN IN DEN METALL-TO220 UND | SemeLAB |
| 258154 | BDS14SMD | EPITAXIAL- UNTERSEITE DES SILIKON-PNP KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SMD1 PAKETEN IN DEN METALL-TO220 UND | SemeLAB |
| 258155 | BDS15 | EPITAXIAL- UNTERSEITE DES SILIKON-PNP KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SMD1 PAKETEN IN DEN METALL-TO220 UND | SemeLAB |
| 258156 | BDS15SMD | EPITAXIAL- UNTERSEITE DES SILIKON-PNP KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SMD1 PAKETEN IN DEN METALL-TO220 UND | SemeLAB |
| 258157 | BDS16 | EPITAXIAL- UNTERSEITE DES SILIKON-NPN KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SMD1 PAKETEN IN DEN METALL-TO220 UND | SemeLAB |
| 258158 | BDS16SMD | EPITAXIAL- UNTERSEITE DES SILIKON-NPN KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SMD1 PAKETEN IN DEN METALL-TO220 UND | SemeLAB |
| 258159 | BDS17 | EPITAXIAL- UNTERSEITE DES SILIKON-NPN KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SMD1 PAKETEN IN DEN METALL-TO220 UND | SemeLAB |
| 258160 | BDS17SMD | EPITAXIAL- UNTERSEITE DES SILIKON-NPN KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SMD1 PAKETEN IN DEN METALL-TO220 UND | SemeLAB |
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