435580 | GA1L4Z | MITTLERE ART NPN TRANSISTOR DES GESCHWINDIGKEIT SCHALTUNG WIDERSTAND-BUILT-IN | NEC |
435581 | GA1L4Z-T1 | Hybrider Transistor | NEC |
435582 | GA1L4Z-T2 | Hybrider Transistor | NEC |
435583 | GA200 | Silikon-Kontrollierter Gleichrichter | Microsemi |
435584 | GA200A | Silikon-Kontrollierter Gleichrichter | Microsemi |
435585 | GA200HS60S | 600V DC-1 kHz (Standard) Hälfte-Brücke IGBT in einem Internen-Ein-Pak Paket | International Rectifier |
435586 | GA200NS61U | 600V UltraFast 10-30 kHz Hs Hieb S IGBT in einem Internen-Ein-Pak Paket | International Rectifier |
435587 | GA200SA60S | 600V DC-1 kHz (Standard) einzelnes IGBT in einem Paket SOT-227 | International Rectifier |
435588 | GA200SA60U | 600V UltraFast 10-30 kHz Single IGBT in einem Paket SOT-227 | International Rectifier |
435589 | GA200TD120U | 1200V UltraFast 10-30 kHz Hälfte-Brücke IGBT in einem Internen-Ein-Pak Verdoppelungpaket | International Rectifier |
435590 | GA200TS60U | 600V UltraFast 10-30 kHz Hälfte-Brücke IGBT in einem Internen-Ein-Pak Paket | International Rectifier |
435591 | GA201 | Silikon-Kontrollierter Gleichrichter | Microsemi |
435592 | GA201A | Silikon-Kontrollierter Gleichrichter | Microsemi |
435593 | GA250TD120U | 1200V UltraFast 10-30 kHz Hälfte-Brücke IGBT in einem Internen-Ein-Pak Verdoppelungpaket | International Rectifier |
435594 | GA250TS60U | 600V UltraFast 10-30 kHz Hälfte-Brücke IGBT in einem Internen-Ein-Pak Paket | International Rectifier |
435595 | GA300 | Silikon-Kontrollierter Gleichrichter | Microsemi |
435596 | GA300A | Silikon-Kontrollierter Gleichrichter | Microsemi |
435597 | GA300TD60U | 600V UltraFast 10-30 kHz Hälfte-Brücke IGBT in einem Internen-Ein-Pak Verdoppelungpaket | International Rectifier |
435598 | GA301 | Silikon-Kontrollierter Gleichrichter | Microsemi |
435599 | GA301A | Silikon-Kontrollierter Gleichrichter | Microsemi |
435600 | GA3201 | Programmierbares DynamEQ II | Gennum Corporation |
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