| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 45721 | 2N3866 | Planare Epitaxial- Testblatttransistoren des Silikons | Philips |
| 45722 | 2N3866 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 45723 | 2N3866 | NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
| 45724 | 2N3866 | RF U. MIKROWELLE GETRENNTE NIEDRIGE ENERGIE TRANSISTOREN | Microsemi |
| 45725 | 2N3866 | Span-Art 2C3866A Geometrie-Polarität 1007 NPN | Semicoa Semiconductor |
| 45726 | 2N3866A | RF U. MIKROWELLE GETRENNTE NIEDRIGE ENERGIE TRANSISTOREN | Microsemi |
| 45727 | 2N3866A | Span-Art 2C3866A Geometrie-Polarität 1007 NPN | Semicoa Semiconductor |
| 45728 | 2N3866AF | Chip: Geometrie 1007; Polarität NPN | Semicoa Semiconductor |
| 45729 | 2N3866AUB | Span-Art 2C3866A Geometrie-Polarität 1007 NPN | Semicoa Semiconductor |
| 45730 | 2N3867 | PNP Transistor | Microsemi |
| 45731 | 2N3867 | PNP Transistor | Microsemi |
| 45732 | 2N3867 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 45733 | 2N3867 | 1.000W General Purpose PNP Metall kann der Transistor. 40V Vceo, 3.000A Ic, 40-200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 45734 | 2N3867S | PNP Transistor | Microsemi |
| 45735 | 2N3868 | PNP Transistor | Microsemi |
| 45736 | 2N3868 | PNP Transistor | Microsemi |
| 45737 | 2N3868 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 45738 | 2N3868S | PNP Transistor | Microsemi |
| 45739 | 2N3870 | Silikon Kontrolliertes Rectifiers(Reverse, das Triode Thyristoren Blockiert) | Motorola |
| 45740 | 2N3870 | 35A gesteuerte Siliziumgleichrichter. Vrsom (nicht-rep) 150V. | General Electric Solid State |
| 45741 | 2N3871 | Silikon Kontrolliertes Rectifiers(Reverse, das Triode Thyristoren Blockiert) | Motorola |
| 45742 | 2N3871 | 35A gesteuerte Siliziumgleichrichter. Vrsom (nicht-rep) 330V. | General Electric Solid State |
| 45743 | 2N3872 | Silikon Kontrolliertes Rectifiers(Reverse, das Triode Thyristoren Blockiert) | Motorola |
| 45744 | 2N3872 | 35A gesteuerte Siliziumgleichrichter. Vrsom (nicht-rep) 660V. | General Electric Solid State |
| 45745 | 2N3873 | Silikon Kontrolliertes Rectifiers(Reverse, das Triode Thyristoren Blockiert) | Motorola |
| 45746 | 2N3873 | 35A gesteuerte Siliziumgleichrichter. Vrsom (nicht-rep) 700V. | General Electric Solid State |
| 45747 | 2N3878 | EPITAXIAL- PLANARE SCHNELLTRANSISTOREN DES KOLLEKTOR-SILIKON-NPN | General Electric Solid State |
| 45748 | 2N3878 | EPITAXIAL- PLANARE SCHNELLTRANSISTOREN DES KOLLEKTOR-SILIKON-NPN | General Electric Solid State |
| 45749 | 2N3879 | NPN Transistor | Microsemi |
| 45750 | 2N3879 | Hohe Geschwindigkeit, epitaktischen Kollektor Silizium NPN Planartransistor. | General Electric Solid State |
| 45751 | 2N3884 | Phase Steuer-Störungsbesuch 175 Amoeres Durchschnitt 1200 Volt | Powerex Power Semiconductors |
| 45752 | 2N3884-2N3895 | Phase Steuer-Störungsbesuch 175 Amoeres Durchschnitt 1200 Volt | Powerex Power Semiconductors |
| 45753 | 2N3885 | Phase Steuer-Störungsbesuch 175 Amoeres Durchschnitt 1200 Volt | Powerex Power Semiconductors |
| 45754 | 2N3886 | Phase Steuer-Störungsbesuch 175 Amoeres Durchschnitt 1200 Volt | Powerex Power Semiconductors |
| 45755 | 2N3887 | Phase Steuer-Störungsbesuch 175 Amoeres Durchschnitt 1200 Volt | Powerex Power Semiconductors |
| 45756 | 2N3888 | Phase Steuer-Störungsbesuch 175 Amoeres Durchschnitt 1200 Volt | Powerex Power Semiconductors |
| 45757 | 2N3889 | Phase Steuer-Störungsbesuch 175 Amoeres Durchschnitt 1200 Volt | Powerex Power Semiconductors |
| 45758 | 2N3890 | Phase Steuer-Störungsbesuch 175 Amoeres Durchschnitt 1200 Volt | Powerex Power Semiconductors |
| 45759 | 2N3891 | Phase Steuer-Störungsbesuch 175 Amoeres Durchschnitt 1200 Volt | Powerex Power Semiconductors |
| 45760 | 2N3892 | Phase Steuer-Störungsbesuch 175 Amoeres Durchschnitt 1200 Volt | Powerex Power Semiconductors |
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