| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 48081 | 2N5909 | MONOLITHISCHER DOPPELN FÜHRUNG JFET ZWECK-VERSTÄRKER | Intersil |
| 48082 | 2N5910 | PMP SILIKON-SCHALTUNG TRANSISTOREN | Central Semiconductor |
| 48083 | 2N5911 | Zusammengebrachter Hoher Gewinn | Vishay |
| 48084 | 2N5911 | DoppelN-führung JFET Hochfrequenzverstärker | Calogic |
| 48085 | 2N5911 | Der Breitband-, Hohe Gewinn, Monolithisch Verdoppeln, N Führung JFET | Linear Systems |
| 48086 | 2N5911 | Dual-N-Kanal-Siliziumsperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 48087 | 2N5911 | Dual-N-Kanal-JFET. Hochfrequenzverstärker. | Intersil |
| 48088 | 2N5911-12 | DoppelN-führung JFET Hochfrequenzverstärker | Calogic |
| 48089 | 2N5911_D | Dual-N-Kanal-JFET. Hochfrequenzverstärker. | Intersil |
| 48090 | 2N5911_W | Dual-N-Kanal-JFET. Hochfrequenzverstärker. | Intersil |
| 48091 | 2N5912 | Zusammengebrachter Hoher Gewinn | Vishay |
| 48092 | 2N5912 | DoppelN-führung JFET Hochfrequenzverstärker | Calogic |
| 48093 | 2N5912 | Der Breitband-, Hohe Gewinn, Monolithisch Verdoppeln, N Führung JFET | Linear Systems |
| 48094 | 2N5912 | Dual-N-Kanal-Siliziumsperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 48095 | 2N5912 | Dual-N-Kanal-JFET. Hochfrequenzverstärker. | Intersil |
| 48096 | 2N5912C | Der Breitband-, Hohe Gewinn, Monolithisch Verdoppeln, N Führung JFET | Linear Systems |
| 48097 | 2N5912_D | Dual-N-Kanal-JFET. Hochfrequenzverstärker. | Intersil |
| 48098 | 2N5912_W | Dual-N-Kanal-JFET. Hochfrequenzverstärker. | Intersil |
| 48099 | 2N5930 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 48100 | 2N5933 | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
| 48101 | 2N5933 | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
| 48102 | 2N5934 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 48103 | 2N5937 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 48104 | 2N5937 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 48105 | 2N5945 | NPN SILIKON-RF ENERGIE TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
| 48106 | 2N5945 | NPN SILIKON-RF ENERGIE TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
| 48107 | 2N5949 | Verbleiter JFET Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48108 | 2N5949 | SFET RF/VHF/ UHF Amplitiers | Fairchild Semiconductor |
| 48109 | 2N5950 | Verbleiter JFET Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48110 | 2N5950 | SFET RF/VHF/ UHF Amplitiers | Fairchild Semiconductor |
| 48111 | 2N5951 | Verbleiter JFET Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48112 | 2N5951 | SFET RF/VHF/ UHF Amplitiers | Fairchild Semiconductor |
| 48113 | 2N5952 | N-Führung Rf Ampifier | Fairchild Semiconductor |
| 48114 | 2N5952 | Verbleiter JFET Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48115 | 2N5952_D74Z | N-Führung Rf Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 48116 | 2N5952_D75Z | N-Führung Rf Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 48117 | 2N5953 | Verbleiter JFET Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48118 | 2N5953 | SFET RF/VHF/ UHF Amplitiers | Fairchild Semiconductor |
| 48119 | 2N5954 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48120 | 2N5954 | Silikon PNP Medium-Power-Transistor. -90V, 40W. | General Electric Solid State |
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