| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 49241 | 2N6730 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 49242 | 2N6730 | 0.850W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 100V Vceo, 1.000A Ic, 80 - hFE | Continental Device India Limited |
| 49243 | 2N6730 | PNP SILIKON-PLANARE MITTLERE ENERGIE TRANSISTOREN | Diodes |
| 49244 | 2N6731 | NPN SILIKON-PLANARER MITTLERER ENERGIE TRANSISTOR | Zetex Semiconductors |
| 49245 | 2N6731 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 49246 | 2N6731 | NPN SILIKON-PLANARE MITTLERE ENERGIE TRANSISTOR | Diodes |
| 49247 | 2N6732 | PNP SILIKON-PLANARER MITTLERER ENERGIE TRANSISTOR | Zetex Semiconductors |
| 49248 | 2N6732 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 49249 | 2N6732 | PNP SILIKON-PLANARE MITTLERE ENERGIE TRANSISTOR | Diodes |
| 49250 | 2N6733 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 49251 | 2N6734 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 49252 | 2N6735 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 49253 | 2N6735 | Energie Transistoren | Central Semiconductor |
| 49254 | 2N6737 | Energie Transistoren | Central Semiconductor |
| 49255 | 2N6737 | Energie Transistoren | Central Semiconductor |
| 49256 | 2N6738 | ENERGIE TRANSISTORS(8.0A, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49257 | 2N6738 | SWITCHMODE REIHE NPN ENERGIE TRANSISTOREN | Boca Semiconductor Corporation |
| 49258 | 2N6739 | ENERGIE TRANSISTORS(8.0A, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49259 | 2N6739 | SWITCHMODE REIHE NPN ENERGIE TRANSISTOREN | Boca Semiconductor Corporation |
| 49260 | 2N6740 | ENERGIE TRANSISTORS(8.0A, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49261 | 2N6740 | SWITCHMODE REIHE NPN ENERGIE TRANSISTOREN | Boca Semiconductor Corporation |
| 49262 | 2N6740 | 100.000W Medium Power NPN Plastic Leaded Transistor. 400V Vceo, 8.000A Ic, 10-40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 49263 | 2N6751 | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
| 49264 | 2N6751 | 5 A SwitchMax Leistungstransistor. Hochspannung NPN-Typ. | General Electric Solid State |
| 49265 | 2N6752 | 5 A SwitchMax Leistungstransistor. Hochspannung NPN-Typ. | General Electric Solid State |
| 49266 | 2N6753 | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
| 49267 | 2N6753 | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
| 49268 | 2N6753 | 5 A SwitchMax Leistungstransistor. Hochspannung NPN-Typ. | General Electric Solid State |
| 49269 | 2N6754 | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
| 49270 | 2N6754 | 5 A SwitchMax Leistungstransistor. Hochspannung NPN-Typ. | General Electric Solid State |
| 49271 | 2N6755 | N-Führung Energie MOSFETs/ 14 A 60 A/100 V | Fairchild Semiconductor |
| 49272 | 2N6755 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 12A. | General Electric Solid State |
| 49273 | 2N6756 | 100V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AA Paket | International Rectifier |
| 49274 | 2N6756 | N-Führung Energie MOSFETs/ 14 A 60 A/100 V | Fairchild Semiconductor |
| 49275 | 2N6756 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 14A. | General Electric Solid State |
| 49276 | 2N6757 | N-Führung Energie MOSFETs/ 9A/ 150V/200V | Fairchild Semiconductor |
| 49277 | 2N6757 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
| 49278 | 2N6758 | 200V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AA Paket | International Rectifier |
| 49279 | 2N6758 | N-Führung Energie MOSFETs/ 9A/ 150V/200V | Fairchild Semiconductor |
| 49280 | 2N6758 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 9.0A. | General Electric Solid State |
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