| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 49281 | 2N6759 | N-Führung Energie MOSFETs/ 5.5A/ 350V/400V | Fairchild Semiconductor |
| 49282 | 2N6759 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 350V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
| 49283 | 2N6760 | 400V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AA Paket | International Rectifier |
| 49284 | 2N6760 | N-Führung Energie MOSFETs/ 5.5A/ 350V/400V | Fairchild Semiconductor |
| 49285 | 2N6760 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 400V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 5.5A. | General Electric Solid State |
| 49286 | 2N6761 | N-Führung Energie MOSFETs/ 4.5A/ 450V/500V | Fairchild Semiconductor |
| 49287 | 2N6761 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 450V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 49288 | 2N6762 | 500V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AA Paket | International Rectifier |
| 49289 | 2N6762 | N-Führung Energie MOSFETs/ 4.5A/ 450V/500V | Fairchild Semiconductor |
| 49290 | 2N6762 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 500V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
| 49291 | 2N6763 | N-Führung Energie MOSFETs/ 38A/ 60V/100V | Fairchild Semiconductor |
| 49292 | 2N6764 | 100V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AE Paket | International Rectifier |
| 49293 | 2N6764 | N-Führung Energie MOSFETs/ 38A/ 60V/100V | Fairchild Semiconductor |
| 49294 | 2N6764 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 38A. | General Electric Solid State |
| 49295 | 2N6764 | N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET-Leistungstransistor | Omnirel |
| 49296 | 2N6765 | N-Führung Energie MOSFETs/ 30A/ 150V/200V | Fairchild Semiconductor |
| 49297 | 2N6766 | 200V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AE Paket | International Rectifier |
| 49298 | 2N6766 | N-Führung Energie MOSFETs/ 30A/ 150V/200V | Fairchild Semiconductor |
| 49299 | 2N6766 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 30A. | General Electric Solid State |
| 49300 | 2N6766 | N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET-Leistungstransistor | Omnirel |
| 49301 | 2N6767 | N-Führung Energie MOSFETs/ 15A/ 350V/400V | Fairchild Semiconductor |
| 49302 | 2N6768 | 400V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AE Paket | International Rectifier |
| 49303 | 2N6768 | N-Führung Energie MOSFETs/ 15A/ 350V/400V | Fairchild Semiconductor |
| 49304 | 2N6768 | N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET-Leistungstransistor | Omnirel |
| 49305 | 2N6769 | N-Führung Energie MOSFETs/ 12A/ 450V/500V | Fairchild Semiconductor |
| 49306 | 2N6770 | 500V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AA Paket | International Rectifier |
| 49307 | 2N6770 | N-Führung Energie MOSFETs/ 12A/ 450V/500V | Fairchild Semiconductor |
| 49308 | 2N6770 | N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET-Leistungstransistor | Omnirel |
| 49309 | 2N6781 | 60 V, 06 Ohm, N-Kanal-Anreicherungsmode-D-MOS-FET Leistungs | Topaz Semiconductor |
| 49310 | 2N6782 | 100V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-205AF Paket | International Rectifier |
| 49311 | 2N6782 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | SemeLAB |
| 49312 | 2N6782 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. 3,5 A, 100 V. | General Electric Solid State |
| 49313 | 2N6782 | 100 V, 06 Ohm, N-Kanal-Anreicherungsmode-D-MOS-FET Leistungs | Topaz Semiconductor |
| 49314 | 2N6782LCC4 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | SemeLAB |
| 49315 | 2N6784 | 200V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-205AF Paket | International Rectifier |
| 49316 | 2N6786 | 400V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-205AF Paket | International Rectifier |
| 49317 | 2N6786 | N-Führung MOSFET in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto39 | SemeLAB |
| 49318 | 2N6788 | 100V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-205AF Paket | International Rectifier |
| 49319 | 2N6788 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. 6,0 A, 100 V. | General Electric Solid State |
| 49320 | 2N6790 | 200V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-205AF Paket | International Rectifier |
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