| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 502001 | HN3G01J | N FÜHRUNG VERZWEIGUNG ART EPITAXIAL- ART TRANSISTOR Des Fet SILIKON-NPN | TOSHIBA |
| 502002 | HN4400 | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Honey Technology |
| 502003 | HN4400 | NPN EXPITAXIAL SILIKON-TRANSISTOR | Semtech |
| 502004 | HN4401 | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Honey Technology |
| 502005 | HN4401 | NPN EXPITAXIAL SILIKON-TRANSISTOR | Semtech |
| 502006 | HN4402 | PNP Epitaxial- Silikon-Transistor | Honey Technology |
| 502007 | HN4402 | PNP EXPITAXIAL SILIKON-TRANSISTOR | Semtech |
| 502008 | HN4403 | PNP Epitaxial- Silikon-Transistor | Honey Technology |
| 502009 | HN4403 | PNP EXPITAXIAL SILIKON-TRANSISTOR | Semtech |
| 502010 | HN462716 | 2048 Wort x 8 Bit-UVLÖSCHBARES und EPROM | Hitachi Semiconductor |
| 502011 | HN462716G | 2048-WORD x LÖSCHBARES 8-BIT UND ELEKTRISCH PROGRAMMIERBARES NURUVGEDÄCHTNIS | Hitachi Semiconductor |
| 502012 | HN462732 | 4096 Wort x 8 Bit-UVLÖSCHBARES und EPROM | Hitachi Semiconductor |
| 502013 | HN48016 | WORD X 8 Des BIT-2048 LÖSCHBARES UND PROGRAMMIERBARES ROM ELEKTRISCH | Hitachi Semiconductor |
| 502014 | HN48016P | WORD X 8 Des BIT-2048 LÖSCHBARES UND PROGRAMMIERBARES ROM ELEKTRISCH | Hitachi Semiconductor |
| 502015 | HN4827128 | 16384-Wort x 8-bit löschbarer und UVPROGRAMMIERBARERRead-Only-Speicher | Hitachi Semiconductor |
| 502016 | HN4A06J | Transistor für niederfrequente Kleinsignalverstärkung 2 in 1 | TOSHIBA |
| 502017 | HN4A08J | Transistor für niederfrequente Kleinsignalverstärkung 2 in 1 | TOSHIBA |
| 502018 | HN4A51J | Transistor für niederfrequente Kleinsignalverstärkung 2 in 1 | TOSHIBA |
| 502019 | HN4A56JU | Transistor für niederfrequente Kleinsignalverstärkung 2 in 1 | TOSHIBA |
| 502020 | HN4B01JE | Transistor für niederfrequente Kleinsignalverstärkung 2 in 1 | TOSHIBA |
| 502021 | HN4B04J | Transistor für niederfrequente Kleinsignalverstärkung 2 in 1 | TOSHIBA |
| 502022 | HN4B06J | Transistor für niederfrequente Kleinsignalverstärkung 2 in 1 | TOSHIBA |
| 502023 | HN4B101J | Leistungstransistor für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen | TOSHIBA |
| 502024 | HN4B102J | Leistungstransistor für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen | TOSHIBA |
| 502025 | HN4C05JU | Multi Span-getrennte Vorrichtung Tonfrequenz-universelle Verstärker-Anwendungen für die daempfenden und zugeschalteten Anwendungen | TOSHIBA |
| 502026 | HN4C06J | Transistor für niederfrequente Kleinsignalverstärkung 2 in 1 | TOSHIBA |
| 502027 | HN4C51J | Transistor für niederfrequente Kleinsignalverstärkung 2 in 1 | TOSHIBA |
| 502028 | HN4D01JU | Schaltdiode | TOSHIBA |
| 502029 | HN4D02JU | Schaltdiode | TOSHIBA |
| 502030 | HN4K03JU | Fangen Sie Führung MOS Art Schnellschaltung Anwendungen Analoge Schalter-Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-N auf | TOSHIBA |
| 502031 | HN5400 | PNP Silikon-Epitaxial- Planarer Transistor | Honey Technology |
| 502032 | HN5400 | PNP Silikon Expitaxial planarer Transistor für Hochspannungsverstärkeranwendungen des allgemeinen Zweckes | Semtech |
| 502033 | HN5401 | PNP Silikon-Epitaxial- Planarer Transistor | Honey Technology |
| 502034 | HN5401 | PNP Silikon Expitaxial planarer Transistor für Hochspannungsverstärkeranwendungen des allgemeinen Zweckes | Semtech |
| 502035 | HN546 | NPN Silikon-Epitaxial- Planarer Transistor | Honey Technology |
| 502036 | HN546 | NPN Silikon-Epitaxial- Planarer Transistor | Semtech |
| 502037 | HN547 | NPN Silikon-Epitaxial- Planarer Transistor | Honey Technology |
| 502038 | HN547 | NPN Silikon-Epitaxial- Planarer Transistor | Semtech |
| 502039 | HN548 | NPN Silikon-Epitaxial- Planarer Transistor | Semtech |
| 502040 | HN549 | NPN Silikon-Epitaxial- Planarer Transistor | Honey Technology |
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