| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 50241 | 2SA1221 | PNP SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR FÜR LOW-FREQUENCY ENDVERSTÄRKER | NEC |
| 50242 | 2SA1221-T | Silikontransistor | NEC |
| 50243 | 2SA1222 | PNP SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR FÜR LOW-FREQUENCY ENDVERSTÄRKER | NEC |
| 50244 | 2SA1222-T | Silikontransistor | NEC |
| 50245 | 2SA1225 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Treiberstufe Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 50246 | 2SA1226 | HOCHFREQUENZSILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-MINIFORM DES VERSTÄRKER-PNP | NEC |
| 50247 | 2SA1226-L | Silikontransistor | NEC |
| 50248 | 2SA1226-T1B | Silikontransistor | NEC |
| 50249 | 2SA1226-T2B | Silikontransistor | NEC |
| 50250 | 2SA1227 | SILIKON-DREIERGRUPPE DES PNP SILIKON-EPITAXIAL/NPN ZERSTREUTE TRANSISTOR | Unknow |
| 50251 | 2SA1227 | SILIKON-DREIERGRUPPE DES PNP SILIKON-EPITAXIAL/NPN ZERSTREUTE TRANSISTOR | Unknow |
| 50252 | 2SA1227 | SILIKON-DREIERGRUPPE DES PNP SILIKON-EPITAXIAL/NPN ZERSTREUTE TRANSISTOR | Unknow |
| 50253 | 2SA1227 | SILIKON-DREIERGRUPPE DES PNP SILIKON-EPITAXIAL/NPN ZERSTREUTE TRANSISTOR | Unknow |
| 50254 | 2SA1227A | SILIKON-DREIERGRUPPE DES PNP SILIKON-EPITAXIAL/NPN ZERSTREUTE TRANSISTOR | Unknow |
| 50255 | 2SA1227A | SILIKON-DREIERGRUPPE DES PNP SILIKON-EPITAXIAL/NPN ZERSTREUTE TRANSISTOR | Unknow |
| 50256 | 2SA1227A | SILIKON-DREIERGRUPPE DES PNP SILIKON-EPITAXIAL/NPN ZERSTREUTE TRANSISTOR | Unknow |
| 50257 | 2SA1227A | SILIKON-DREIERGRUPPE DES PNP SILIKON-EPITAXIAL/NPN ZERSTREUTE TRANSISTOR | Unknow |
| 50258 | 2SA1232 | SILIKON-DREIERGRUPPE DES PNP SILIKON-EPITAXIAL/NPN ZERSTREUTE TRANSISTOR | Unknow |
| 50259 | 2SA1232 | SILIKON-DREIERGRUPPE DES PNP SILIKON-EPITAXIAL/NPN ZERSTREUTE TRANSISTOR | Unknow |
| 50260 | 2SA1235A | PNP TRANSISTOR | DONG GUAN SHI HUA YUAN ELECTRON CO. |
| 50261 | 2SA1235A | PNP TRANSISTOR | DONG GUAN SHI HUA YUAN ELECTRON CO. |
| 50262 | 2SA1235A | 200mW SMD PNP-Transistor, maximale Rating: -50 V Vceo, -200mA Ic, 150 bis 500 hFE. Verbessern 2SA1235 | Isahaya Electronics Corporation |
| 50263 | 2SA1237 | DIFFERENTIALE AMPERE ANWENDUNGEN | SANYO |
| 50264 | 2SA1237 | DIFFERENTIALE AMPERE ANWENDUNGEN | SANYO |
| 50265 | 2SA1238 | DIFFERENTIALE AMPERE ANWENDUNGEN | SANYO |
| 50266 | 2SA1238 | DIFFERENTIALE AMPERE ANWENDUNGEN | SANYO |
| 50267 | 2SA1239 | DIFFERENTIALE AMPERE ANWENDUNGEN | SANYO |
| 50268 | 2SA1239 | DIFFERENTIALE AMPERE ANWENDUNGEN | SANYO |
| 50269 | 2SA1240 | DIFFERENTIALE AMPERE ANWENDUNGEN | SANYO |
| 50270 | 2SA1240 | DIFFERENTIALE AMPERE ANWENDUNGEN | SANYO |
| 50271 | 2SA1241 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Energie Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
| 50272 | 2SA1242 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Röhrenblitz-Blitz-Anwendungen mittlere Endverstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 50273 | 2SA1244 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) hohe gegenwärtige Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
| 50274 | 2SA1245 | Epitaxial- planare Art Hochfrequenzverstärker des Transistor-Silikon-PNP und Schaltung Anwendungen VHF~UHF Band-niedrige Geräusch-Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 50275 | 2SA1246 | Hoch-VEBO, Af Ampere Anwendungen | SANYO |
| 50276 | 2SA1248 | Schaltung 160V/700mA Anwendungen | SANYO |
| 50277 | 2SA1249 | Schaltung 160V/1.5A Anwendungen | SANYO |
| 50278 | 2SA1252 | Hohes VEBO, Af Ampere Anwendungen | SANYO |
| 50279 | 2SA1253 | Hoch-hFE, Af Ampere Anwendungen | SANYO |
| 50280 | 2SA1254 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Hoch-Frequenz Verstärker und andere | Panasonic |
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