| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 561681 | IF4500 | N-Führung Silikon-Verzweigung fangen-effect Transistor | InterFET Corporation |
| 561682 | IF4501 | N-Führung Silikon-Verzweigung fangen-effect Transistor | InterFET Corporation |
| 561683 | IF4510 | N-Kanal Silizium Sperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 561684 | IF4511 | N-Kanal Silizium Sperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 561685 | IF9030 | N-Führung Silikon-Verzweigung fangen-effect Transistor | InterFET Corporation |
| 561686 | IFC-0603 | Hohe Q/SRF Film-Drosselspule | Vishay |
| 561687 | IFC-0805 | Hohe Q/SRF Film-Drosselspule | Vishay |
| 561688 | IFC125-14 | AC / DC-Open-Frame. 125 Watt. Ausgang 1: Vnom 24.0V, Imax 5.2A. Ausgang 2: Vnom 12.0V, Imax 0.5A. | International Power Sources |
| 561689 | IFC125-31 | AC / DC-Open-Frame. 125 Watt. Ausgang 1: Vnom 5.0V, Imax 16.5A. Ausgang 2: Vnom 12.0V, Imax 5.0A. Ausgang 3: Vnom -12.0V, Imax 0.5A. | International Power Sources |
| 561690 | IFC125-40-1 | AC / DC-Open-Frame. 125 Watt. Ausgang 1: Vnom 2,5V, Imax 12.5A. Ausgang 2: Vnom 5.0V, Imax 15.0A. Ausgang 3: Vnom 12.0V, Imax 5.0A. Ausgang 4: Vnom -12.0V, Imax 0.5A. | International Power Sources |
| 561691 | IFC125-42-3 | AC / DC-Open-Frame. 125 Watt. Ausgang 1: Vnom 3.3V, Imax 10.0A. Ausgang 2: Vnom 5.0V, Imax 15.0A. Ausgang 3: Vnom 12.0V, Imax 5.0A. Ausgang 4: Vnom -12.0V, Imax 0.5A. | International Power Sources |
| 561692 | IFD-53010 | Silikon zweipoliges MMIC 3.5 und 5.5 Gigahertz Divide-by-4 Static Prescalers | Agilent (Hewlett-Packard) |
| 561693 | IFD-53110 | Silikon zweipoliges MMIC 3.5 und 5.5 Gigahertz Divide-by-4 Static Prescalers | Agilent (Hewlett-Packard) |
| 561694 | IFN105 | N-Kanal Silizium Sperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 561695 | IFN112 | N-Kanal Silizium Sperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 561696 | IFN113 | N-Kanal Silizium Sperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 561697 | IFN146 | DoppelN-führung Silikon-Verzweigung fangen-effect Transistor | InterFET Corporation |
| 561698 | IFN147 | N-Kanal Silizium Sperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 561699 | IFN152 | N-Kanal Silizium Sperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 561700 | IFN363 | N-Kanal Silizium Sperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 561701 | IFN421 | Dual-N-Kanal-Siliziumsperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 561702 | IFN422 | Dual-N-Kanal-Siliziumsperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 561703 | IFN423 | Dual-N-Kanal-Siliziumsperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 561704 | IFN424 | DoppelN-führung Silikon-Verzweigung fangen-effect Transistor | InterFET Corporation |
| 561705 | IFN425 | DoppelN-führung Silikon-Verzweigung fangen-effect Transistor | InterFET Corporation |
| 561706 | IFN426 | DoppelN-führung Silikon-Verzweigung fangen-effect Transistor | InterFET Corporation |
| 561707 | IFN5114 | P-Kanal Silizium Sperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 561708 | IFN5115 | P-Kanal Silizium Sperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 561709 | IFN5116 | P-Kanal Silizium Sperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 561710 | IFN5432 | N-Kanal Silizium Sperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 561711 | IFN5433 | N-Kanal Silizium Sperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 561712 | IFN5434 | N-Kanal Silizium Sperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 561713 | IFN5564 | N-Kanal Dual Siliziumsperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 561714 | IFN5565 | N-Kanal Dual Siliziumsperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 561715 | IFN5566 | N-Kanal Dual Siliziumsperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 561716 | IFN5911 | N-Kanal Dual Siliziumsperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 561717 | IFN5912 | N-Kanal Dual Siliziumsperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 561718 | IFN6449 | N-Führung Silikon-Verzweigung fangen-effect Transistor | InterFET Corporation |
| 561719 | IFN6450 | N-Führung Silikon-Verzweigung fangen-effect Transistor | InterFET Corporation |
| 561720 | IFN860 | Dual-N-Kanal-Siliziumsperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
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