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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
568361IRF6623TR120V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem DirectFET PaketInternational Rectifier
568362IRF6633DirectFET Energie MosfetInternational Rectifier
568363IRF6633DirectFET Energie MosfetInternational Rectifier
568364IRF6635DirectFET Energie MosfetInternational Rectifier
568365IRF6635DirectFET Energie MosfetInternational Rectifier
568366IRF6636Niedriger Widerstand und niedrige Aufladung zusammen mit der ultra niedrigen Paket-Induktanz zum sich zu verringernInternational Rectifier
568367IRF6636Niedriger Widerstand und niedrige Aufladung zusammen mit der ultra niedrigen Paket-Induktanz zum sich zu verringernInternational Rectifier
568368IRF6637DirectFETPower MosfetInternational Rectifier
568369IRF6637DirectFETPower MosfetInternational Rectifier
568370IRF6637TR1DirectFETPower MosfetInternational Rectifier
568371IRF6637TR1DirectFETPower MosfetInternational Rectifier
568372IRF6644DirectFETPower MosfetInternational Rectifier
568373IRF6645DirectFET Energie MOSFET typische calues (wenn nicht anders angegeben)International Rectifier
568374IRF6645DirectFET Energie MOSFET typische calues (wenn nicht anders angegeben)International Rectifier
568375IRF6646DirectFET Energie MosfetInternational Rectifier
568376IRF6646DirectFET Energie MosfetInternational Rectifier
568377IRF6655V (DSS): 100V; 8.7nC; DirectFET Leistungs-MOSFETInternational Rectifier
568378IRF6665DIGITAL AUDIOMOSFETInternational Rectifier
568379IRF6678DirectFET Energie MosfetInternational Rectifier



568380IRF6678DirectFET Energie MosfetInternational Rectifier
568381IRF669120V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET mit integrierter monolithischer Schottky Diode in einem DirectFET PaketInternational Rectifier
568382IRF7102.0A, 400V, 3.600 Ohm, N-Führung Energie MosfetFairchild Semiconductor
568383IRF710400V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
568384IRF7102.0A/ 400V/ 3.600 Ohm N-Führung Energie MosfetIntersil
568385IRF710-713N-Führung Energie MOSFETs/ 2.25A/ 350-400VFairchild Semiconductor
568386IRF710120V verdoppeln N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568387IRF7101TR20V verdoppeln N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568388IRF710350V verdoppeln N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568389IRF7103(N)50V Single Doppel-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568390IRF7103Q50V verdoppeln N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568391IRF7103Q(N)50V Single Doppel-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568392IRF7103QTRN-Kanal-Leistungs-MOSFET für Antiblockiersysteme Anwendungen, 50V, 3AInternational Rectifier
568393IRF7103TR50V verdoppeln N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568394IRF7104-20V verdoppeln P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568395IRF7104TR-20V verdoppeln P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568396IRF710525V verdoppeln n und p Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568397IRF7105AUSWERTUNG INSTALLATIONSSATZMicrosemi
568398IRF7105TR25V verdoppeln n und p Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568399IRF710620V verdoppeln n und p Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568400IRF7106TR20V verdoppeln n und p Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
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