| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 568961 | IRF9230 | 5.5A und -6.5A/ -150V und -200V/ 0.8 und 1.2 Ohm P-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 568962 | IRF9230 | 200 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
| 568963 | IRF9231 | 5.5A und -6.5A/ -150V und -200V/ 0.8 und 1.2 Ohm P-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 568964 | IRF9231 | 150 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
| 568965 | IRF9232 | 5.5A und -6.5A/ -150V und -200V/ 0.8 und 1.2 Ohm P-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 568966 | IRF9232 | 200 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
| 568967 | IRF9233 | 5.5A und -6.5A/ -150V und -200V/ 0.8 und 1.2 Ohm P-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 568968 | IRF9233 | 150 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
| 568969 | IRF9240 | -200V Single P-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AA Paket | International Rectifier |
| 568970 | IRF9240 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFET | SemeLAB |
| 568971 | IRF9240 | 11A/ -200V/ 0.500 Ohm P-Führung Energie Mosfet | Intersil |
| 568972 | IRF9240 | 200 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
| 568973 | IRF9240-SMD | P-CHANNEL ENERGIE MOSFET | SemeLAB |
| 568974 | IRF9240SMD | 200V Vdss P-Kanal-FET (Feldeffekttransistor) | SemeLAB |
| 568975 | IRF9241 | -9A Und -11A, -150 V und -200 V, 0,50 und 0,70 Ohm, P-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
| 568976 | IRF9241 | 150 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
| 568977 | IRF9242 | -9A Und -11A, -150 V und -200 V, 0,50 und 0,70 Ohm, P-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
| 568978 | IRF9242 | 200 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
| 568979 | IRF9243 | -9A Und -11A, -150 V und -200 V, 0,50 und 0,70 Ohm, P-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
| 568980 | IRF9243 | 150 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
| 568981 | IRF9410 | 30V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568982 | IRF9410TR | 30V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568983 | IRF9510 | 3.0A, 100V, 1.200 Ohm, P-Führung Energie Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 568984 | IRF9510 | -100V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568985 | IRF9510 | 3.0A/ 100V/ 1.200 Ohm P-Führung Energie Mosfet | Intersil |
| 568986 | IRF9510S | -100V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568987 | IRF9510STRL | -100V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568988 | IRF9510STRR | -100V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568989 | IRF9520 | 6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Führung Energie Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 568990 | IRF9520 | -100V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568991 | IRF9520 | 6A/ 100V/ 0.600 Ohm P-Führung Energie Mosfet | Intersil |
| 568992 | IRF9520N | -100V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568993 | IRF9520NL | -100V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 568994 | IRF9520NS | -100V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568995 | IRF9520NSTRL | -100V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568996 | IRF9520NSTRR | -100V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568997 | IRF9520S | -100V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568998 | IRF9520STRL | -100V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568999 | IRF9520STRR | -100V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 569000 | IRF9521 | P-Führung Verbesserung-Modus Vertikale DMOS Energie FETs | Supertex Inc |
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