Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
569961 | IRFP9132 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
569962 | IRFP9132 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
569963 | IRFP9132 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
569964 | IRFP9133 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
569965 | IRFP9133 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
569966 | IRFP9133 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
569967 | IRFP9133 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
569968 | IRFP9133 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
569969 | IRFP9133 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
569970 | IRFP913X | P-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
569971 | IRFP9140 | 19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Führung Energie Mosfet | Fairchild Semiconductor |
569972 | IRFP9140 | -100V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-247AC Paket | International Rectifier |
569973 | IRFP9140 | P-Führung Energie Mosfet | Intersil |
569974 | IRFP9140 | 100 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
569975 | IRFP9140N | -100V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-247AC Paket | International Rectifier |
569976 | IRFP9141 | 60 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
569977 | IRFP9142 | 100 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
569978 | IRFP9143 | 60 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
569979 | IRFP9150 | 25A, 100V, 0.150 Ohm, P-Führung Energie Mosfet | Fairchild Semiconductor |
569980 | IRFP9150 | P-Führung Energie Mosfet | Intersil |
569981 | IRFP9230 | 200 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
569982 | IRFP9231 | 150 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
569983 | IRFP9232 | 200 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
569984 | IRFP9233 | 150 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
569985 | IRFP9240 | 12A, 200V, 0.500 Ohm, P-Führung Energie Mosfet | Fairchild Semiconductor |
569986 | IRFP9240 | -200V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-247AC Paket | International Rectifier |
569987 | IRFP9240 | Energie Mosfet | Intersil |
569988 | IRFP9240 | 200 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
569989 | IRFP9240PBF | -200V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-247AC Paket | International Rectifier |
569990 | IRFP9241 | 150 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
569991 | IRFP9242 | 200 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
569992 | IRFP9243 | 150 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
569993 | IRFPC30 | 600V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-247AC Paket | International Rectifier |
569994 | IRFPC40 | 600V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-247AC Paket | International Rectifier |
569995 | IRFPC40PBF | 600V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-247AC Paket | International Rectifier |
569996 | IRFPC48 | 600V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-247AC Paket | International Rectifier |
569997 | IRFPC50 | 600V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-247AC Paket | International Rectifier |
569998 | IRFPC50A | 600V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-247AC Paket | International Rectifier |
569999 | IRFPC50LC | 600V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-247AC Paket | International Rectifier |
570000 | IRFPC50PBF | 600V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-247AC Paket | International Rectifier |
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