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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
573841IRLWI620AVorgerückter Energie MosfetFairchild Semiconductor
573842IRLWI620AVorgerückter Energie MosfetFairchild Semiconductor
573843IRLWI630AVorgerückter Energie MosfetFairchild Semiconductor
573844IRLWI630AVorgerückter Energie MosfetFairchild Semiconductor
573845IRLWI640AVorgerückter Energie MosfetFairchild Semiconductor
573846IRLWI640AVORGERÜCKTER ENERGIE MOSFETFairchild Semiconductor
573847IRLWI640AVorgerückter Energie MosfetFairchild Semiconductor
573848IRLWI640AVORGERÜCKTER ENERGIE MOSFETFairchild Semiconductor
573849IRLZ1460V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
573850IRLZ14LEnergie MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=10A)International Rectifier
573851IRLZ14LEnergie MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=10A)International Rectifier
573852IRLZ14S60V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
573853IRLZ14SLEnergie MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=10A)International Rectifier
573854IRLZ14SLEnergie MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=10A)International Rectifier
573855IRLZ14STRL60V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
573856IRLZ14STRR60V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
573857IRLZ2460V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
573858IRLZ24N55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
573859IRLZ24NL55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262International Rectifier



573860IRLZ24NPBF55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
573861IRLZ24NS55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
573862IRLZ24NSTRL55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
573863IRLZ24NSTRR55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
573864IRLZ24S55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
573865IRLZ24STRL55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
573866IRLZ24STRR55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
573867IRLZ3460V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
573868IRLZ34N-Führung Verbesserung Modus Logikniveau TrenchMOS TransistorPhilips
573869IRLZ34NN-Führung Verbesserung Modus Logikniveau TrenchMOS(tm) TransistorPhilips
573870IRLZ34N55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
573871IRLZ34NL55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262International Rectifier
573872IRLZ34NPBF55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
573873IRLZ34NS55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
573874IRLZ34NSTRL55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
573875IRLZ34NSTRR55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
573876IRLZ34PBF60V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
573877IRLZ34S55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
573878IRLZ34STRL55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
573879IRLZ34STRR55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
573880IRLZ40N-CHANNEL LOGIK-NIVEAUMOSFETSamsung Electronic
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