| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 581001 | ISL9N306AD3ST | N-Führung Logik-Niveau PWM Optimierte UltraFET R Graben-Energie MOSFETs 30V, 50A, 6mOhm | Fairchild Semiconductor |
| 581002 | ISL9N306AP3 | N-Führung Logik-Niveau PWM Optimiertes UltraFET. Graben-Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 581003 | ISL9N306AS3ST | N-Führung Logik-Niveau PWM Optimiertes UltraFET. Graben-Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 581004 | ISL9N306AS3ST_NL | N-Führung Logik-Niveau PWM Optimierter UltraFET TrenchPower Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 581005 | ISL9N307AD3ST | N-Führung Logik-Niveau PWM Optimiertes UltraFET. Graben-Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 581006 | ISL9N307AP3 | N-Führung Logik-Niveau PWM Optimiertes UltraFET. Graben-Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 581007 | ISL9N307AS3ST | N-Führung Logik-Niveau PWM Optimiertes UltraFET. Graben-Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 581008 | ISL9N308AD3 | N-Führung Logik-Niveau UltraFET R Graben-Energie MOSFETs 30V, 50A, 8mOhm | Fairchild Semiconductor |
| 581009 | ISL9N308AD3ST | N-Führung Logik-Niveau UltraFET R Graben-Energie MOSFETs 30V, 50A, 8mOhm | Fairchild Semiconductor |
| 581010 | ISL9N308AD3ST_NL | N-Führung Logik-Niveau UltraFET Graben-Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 581011 | ISL9N308AP3 | N-Führung Logik-Niveau UltraFET. GrabenmOSFETs 30V, 75A, 8mOhm | Fairchild Semiconductor |
| 581012 | ISL9N308AS3ST | N-Führung Logik-Niveau UltraFET. GrabenmOSFETs 30V, 75A, 8mOhm | Fairchild Semiconductor |
| 581013 | ISL9N310AD3 | N-Führung Logik-Niveau PWM Optimierte UltraFET Graben-Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 581014 | ISL9N310AD3ST | N-Führung Logik-Niveau PWM Optimiertes UltraFET. Graben-Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 581015 | ISL9N310AD3ST_NL | N-Führung Logik-Niveau PWM Optimierte UltraFET Graben-Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 581016 | ISL9N310AP3 | N-Führung Logik-Niveau PWM Optimiertes UltraFET. Graben-Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 581017 | ISL9N310AS3 | N-Führung Logik-Niveau PWM Optimierte UltraFET Graben-Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 581018 | ISL9N310AS3ST | N-Führung Logik-Niveau PWM Optimiertes UltraFET. Graben-Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 581019 | ISL9N312AD3 | N-Führung Logik-Niveau PWM Optimiertes UltraFET. Graben-Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 581020 | ISL9N312AD3ST | N-Führung Logik-Niveau PWM Optimiertes UltraFET. Graben-Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 581021 | ISL9N312AD3ST_NL | N-Führung Logik-Niveau PWM Optimierte UltraFET Graben-Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 581022 | ISL9N312AD3_NL | N-Führung Logik-Niveau PWM Optimierte UltraFET TrenchPower MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 581023 | ISL9N312AP3 | N-Führung Logik-Niveau PWM Optimiertes UltraFET. Graben-Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 581024 | ISL9N312AS3ST | N-Führung Logik-Niveau PWM Optimiertes UltraFET. Graben-Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 581025 | ISL9N315AD3 | N-Führung Logik-Niveau PWM Optimierte UltraFET Graben-Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 581026 | ISL9N315AD3ST | N-Führung Logik-Niveau PWM Optimierte UltraFET Graben-Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 581027 | ISL9N318AD3ST | N-Führung Logik-Niveau PWM Optimiertes UltraFET. Graben-Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 581028 | ISL9N322AD3ST | N-Führung Logik-Niveau UltraFET. Graben Mosfet 30V, 20A, 0.022 - Ohm | Fairchild Semiconductor |
| 581029 | ISL9N322AP3 | N-Führung Logik-Niveau PWM Optimiertes UltraFET. Graben-Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 581030 | ISL9N322AS3ST | N-Führung Logik-Niveau PWM Optimiertes UltraFET. Graben-Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 581031 | ISL9N327AD3ST | N-Führung Logik-Niveau PWM Optimiertes UltraFET. Graben-Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 581032 | ISL9N7030BLP3 | 30V, 0.009 Ohm, 75A, N-Führung Logik-Niveau UltraFET. Graben-Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 581033 | ISL9N7030BLS3ST | 30V, 0.009 Ohm, 75A, N-Führung Logik-Niveau UltraFET. Graben-Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 581034 | ISL9R1560G2 | 15A, Diode der Heimlichkeit-600V | Fairchild Semiconductor |
| 581035 | ISL9R1560G2_NL | 15A, Einzelne Diode Der Heimlichkeit-600V | Fairchild Semiconductor |
| 581036 | ISL9R1560G_F085 | 15A, 600V Stealth Rectifier | Fairchild Semiconductor |
| 581037 | ISL9R1560P2 | 15A, Diode der Heimlichkeit-600V | Fairchild Semiconductor |
| 581038 | ISL9R1560P2_NL | 15A, Einzelne Diode Der Heimlichkeit-600V | Fairchild Semiconductor |
| 581039 | ISL9R1560PF2 | 15A, Diode der Heimlichkeit-600V | Fairchild Semiconductor |
| 581040 | ISL9R1560S2 | 15A, Diode der Heimlichkeit-600V | Fairchild Semiconductor |
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