| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 59881 | 2SK1085-M | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 59882 | 2SK1086 | N-CHANNEL SILIKON-ENERGIE MOSFET | Fuji Electric |
| 59883 | 2SK1086-MR | N-CHANNEL SILIKON-ENERGIE MOSFET | Fuji Electric |
| 59884 | 2SK1087 | N-CHANNEL SILIKON-ENERGIE MOSFET | Fuji Electric |
| 59885 | 2SK1087-MR | N-CHANNEL SILIKON-ENERGIE MOSFET | Fuji Electric |
| 59886 | 2SK1088 | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 59887 | 2SK1088-M | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 59888 | 2SK1089 | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 59889 | 2SK1093 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 59890 | 2SK1093 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 59891 | 2SK1094 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 59892 | 2SK1094 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 59893 | 2SK1095 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 59894 | 2SK1095 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 59895 | 2SK1096-MR | N-CHANNEL SILIKON-ENERGIE MOSFET | Fuji Electric |
| 59896 | 2SK1098-M | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 59897 | 2SK1099 | N-CHANNEL SILIKON-ENERGIE MOS-FET | Unknow |
| 59898 | 2SK1099 | N-CHANNEL SILIKON-ENERGIE MOS-FET | Unknow |
| 59899 | 2SK1101 | N-CHANNEL SILIKON-ENERGIE MOS-FET | Fuji Electric |
| 59900 | 2SK1101 | N-CHANNEL SILIKON-ENERGIE MOS-FET | Fuji Electric |
| 59901 | 2SK1101MR | N-CHANNEL SILIKON-ENERGIE MOS-FET | Fuji Electric |
| 59902 | 2SK1101MR | N-CHANNEL SILIKON-ENERGIE MOS-FET | Fuji Electric |
| 59903 | 2SK1101MR | N-CHANNEL SILIKON-ENERGIE MOS-FET | Fuji Electric |
| 59904 | 2SK1101MR | N-CHANNEL SILIKON-ENERGIE MOS-FET | Fuji Electric |
| 59905 | 2SK1102 | N-CHANNEL SILIKON-ENERGIE MOS-FET | Fuji Electric |
| 59906 | 2SK1102 | N-CHANNEL SILIKON-ENERGIE MOS-FET | Fuji Electric |
| 59907 | 2SK1103 | Differentielle Vorrichtung - differentielle FETs - Verzweigung FETs | Panasonic |
| 59908 | 2SK1104 | Differentielle Vorrichtung - differentielle FETs - Verzweigung FETs | Panasonic |
| 59909 | 2SK1109 | N-CHANNEL SILIKON-VERZWEIGUNG FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR WIDERSTAND-KONVERTER VON ELEKTR. STEUERMODUL auf | NEC |
| 59910 | 2SK1109 | N-CHANNEL SILIKON-VERZWEIGUNG FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR WIDERSTAND-KONVERTER VON ELEKTR. STEUERMODUL auf | NEC |
| 59911 | 2SK1113 | 2SK1113 | TOSHIBA |
| 59912 | 2SK1113 | 2SK1113 | TOSHIBA |
| 59913 | 2SK1117 | 2SK1117 | Unknow |
| 59914 | 2SK1117 | 2SK1117 | Unknow |
| 59915 | 2SK1117 | V (DSS): 600V; V (DGR): 600V; V (GSS): + -20 V; I (d): 6A; P (d): 100W; n-MOS II | TOSHIBA |
| 59916 | 2SK1118 | N Führung MOS Type(for hohe Geschwindigkeit hoher Konverter-Relais-Antrieb des Strom-DC-DC und Bewegungstaucher) | TOSHIBA |
| 59917 | 2SK1119 | Fangen Sie Führung MOS Art des Effekt-Transistor-Silikon-N(PU-MOSII -5) DC DC Konverter-und Bewegungs-Antrieb Anwendungen auf | TOSHIBA |
| 59918 | 2SK1120 | Fangen Sie Führung MOS Art des Effekt-Transistor-Silikon-N(PU-MOSII -5) DC DC Konverter-und Bewegungs-Antrieb Anwendungen auf | TOSHIBA |
| 59919 | 2SK1122 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 59920 | 2SK1123 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
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