| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 60801 | 2SK1846 | Silikon-N-Kanal-Leistungs-F-MOS-FET | Panasonic |
| 60802 | 2SK1847 | Sehr Schnellschaltung Anwendungen | SANYO |
| 60803 | 2SK1848 | Ultrahoch-Geschwindigkeit Schaltung Anwendungen | SANYO |
| 60804 | 2SK1849 | Ultrahoch-Geschwindigkeit Schaltung Anwendungen | SANYO |
| 60805 | 2SK1850 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 60806 | 2SK1851 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 60807 | 2SK1852 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 60808 | 2SK1853 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 60809 | 2SK1858 | Führung MOS Art Des Silikon-N | TOSHIBA |
| 60810 | 2SK1859 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 60811 | 2SK1859 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 60812 | 2SK1859 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 60813 | 2SK1860 | Differentielle Vorrichtung - differentielle FETs - Verzweigung FETs | Panasonic |
| 60814 | 2SK1861 | Reihe Der Energie MOSFETs-/ VR | Shindengen |
| 60815 | 2SK1862 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 60816 | 2SK1862 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 60817 | 2SK1862 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 60818 | 2SK1863 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 60819 | 2SK1863 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 60820 | 2SK1863 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 60821 | 2SK1867 | Silikon-N-Kanal-Leistungs-F-MOS-FET | Panasonic |
| 60822 | 2SK1869 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 60823 | 2SK1869(L) | Leistungsschalter-MOSFET | Hitachi Semiconductor |
| 60824 | 2SK1869(S) | Leistungsschalter-MOSFET | Hitachi Semiconductor |
| 60825 | 2SK1869L | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 60826 | 2SK1869S | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 60827 | 2SK187 | VERZWEIGUNG FET NIEDRIGER FREQUECY DES SILIKON-N-CHANNEL NIEDRIGER GERÄUSCH-VERSTÄRKER | Hitachi Semiconductor |
| 60828 | 2SK187 | VERZWEIGUNG FET NIEDRIGER FREQUECY DES SILIKON-N-CHANNEL NIEDRIGER GERÄUSCH-VERSTÄRKER | Hitachi Semiconductor |
| 60829 | 2SK1875 | Fangen Sie Führung Verzweigung Art Hochfrequenzverstärker-Anwendungen Morgens Hochfrequenzverstärker-Anwendungen Tonfrequenz-Verstärker-Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-N auf | TOSHIBA |
| 60830 | 2SK1880 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 60831 | 2SK1880(L) | Leistungsschalter-MOSFET | Hitachi Semiconductor |
| 60832 | 2SK1880(L)/(S) | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 60833 | 2SK1880(S) | Leistungsschalter-MOSFET | Hitachi Semiconductor |
| 60834 | 2SK1880L | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 60835 | 2SK1880L | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 60836 | 2SK1880S | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 60837 | 2SK1880S | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 60838 | 2SK1881-L | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60839 | 2SK1881-S | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60840 | 2SK1886 | N-Führung Silikon Mosfet Ultrahoch-Geschwindigkeit Schaltung Anwendungen | SANYO |
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