Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
62001 | 2SK2981-Z | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
62002 | 2SK2983 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
62003 | 2SK2983-S | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
62004 | 2SK2983-ZJ | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
62005 | 2SK2983-ZJ-E1 | Niederspannung 4V Antriebsleistung MOSFET | NEC |
62006 | 2SK2983-ZJ-E1(JM) | Niederspannung 4V Antriebsleistung MOSFET | NEC |
62007 | 2SK2983-ZJ-E2 | Niederspannung 4V Antriebsleistung MOSFET | NEC |
62008 | 2SK2983-ZJ-E2(JM) | Niederspannung 4V Antriebsleistung MOSFET | NEC |
62009 | 2SK2984 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
62010 | 2SK2984-S | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
62011 | 2SK2984-ZJ | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
62012 | 2SK2984-ZJ-E1 | Niederspannung 4V Antriebsleistung MOSFET | NEC |
62013 | 2SK2984-ZJ-E1(JM) | Niederspannung 4V Antriebsleistung MOSFET | NEC |
62014 | 2SK2984-ZJ-E2 | Niederspannung 4V Antriebsleistung MOSFET | NEC |
62015 | 2SK2984-ZJ-E2(JM) | Niederspannung 4V Antriebsleistung MOSFET | NEC |
62016 | 2SK2985 | TOSHIBA FANGEN FÜHRUNG MOS ART Des EFFEKT-TRANSISTOR-SILIKON-N (U-MOSII) RELAIS DRYVE, DC-DC KONVERTER UND BEWEGUNGS-ANTRIEB ANWENDUNGEN auf | TOSHIBA |
62017 | 2SK2986 | Fangen Sie Führung MOS Art des Effekt-Transistor-Silikon-N (U-MOSII) Relais-Antrieb, Bewegungs-Antrieb und DC DC Konverter-Anwendung auf | TOSHIBA |
62018 | 2SK2987 | TOSHIBA FANGEN FÜHRUNG MOS ART Des EFFEKT-TRANSISTOR-SILIKON-N (U-MOSII) RELAIS DRYVE, DC-DC KONVERTER UND BEWEGUNGS-ANTRIEB ANWENDUNGEN auf | TOSHIBA |
62019 | 2SK2988 | Silikon-N-Kanal-Sperrschicht-FET | Panasonic |
62020 | 2SK2989 | Fangen Sie Führung MOS Art des Effekt-Transistor-Silikon-N (PU-MOSVI) Zerhacker-Regler, DC DC Konverter und Bewegungs-Antrieb Anwendungen auf | TOSHIBA |
62021 | 2SK2991 | Fangen Sie Führung MOS Art des Effekt-Transistor-Silikon-N (PU-MOSV) DC DC Konverter-, Relais-Antrieb und Bewegungs-Antrieb Anwendungen auf | TOSHIBA |
62022 | 2SK2992 | Fangen Sie Führung MOS Art des Effekt-Transistor-Silikon-N (PU-MOSV) Zerhacker-Regler, DC DC Konverter und Bewegungs-Antrieb Anwendungen auf | TOSHIBA |
62023 | 2SK2993 | Fangen Sie Führung MOS Art des Effekt-Transistor-Silikon-N (PU-MOSV) Zerhacker-Regler, DC DC Konverter und Bewegungs-Antrieb Anwendungen auf | TOSHIBA |
62024 | 2SK2995 | Fangen Sie Führung MOS Art des Effekt-Transistor-Silikon-N (PU-MOSV) Zerhacker-Regler, DC DC Konverter und Bewegungs-Antrieb Anwendungen auf | TOSHIBA |
62025 | 2SK2996 | Fangen Sie Führung MOS Art des Effekt-Transistor-Silikon-N (PU-MOSV) DC DC Konverter-, Relais-Antrieb und Bewegungs-Antrieb Anwendungen auf | TOSHIBA |
62026 | 2SK2998 | Fangen Sie Effekt-Transistor auf | TOSHIBA |
62027 | 2SK30 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
62028 | 2SK30 | Silikon N-Führung Energie F-MOS Fet | Panasonic |
62029 | 2SK30 | Niedrig-Frequenz Ampere Anwendungen | SANYO |
62030 | 2SK30 | Führung MOS Fet Schnellenergie Schaltung Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
62031 | 2SK30 | Kleine Schaltung (30V/ 0.1A) | ROHM |
62032 | 2SK30 | N FÜHRUNG VERZWEIGUNG ART (NIEDRIGE GERÄUSCH-VORVERSTÄRKER-TON-STEUERVERSTÄRKER-UND DC-AC HOHE EINGANG WIDERSTAND-VERSTÄRKER-STROMKREIS-ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
62033 | 2SK3000 | Führung MOS Fet Niederfrequenzenergie Schaltung Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
62034 | 2SK3000 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
62035 | 2SK3001 | GaAs Hemt Niedriger Geräusch-Verstärker | Hitachi Semiconductor |
62036 | 2SK3001 | GaAs Hemt Niedriger Geräusch-Verstärker | Hitachi Semiconductor |
62037 | 2SK3004 | Außenmaße 1...... FM20 | Unknow |
62038 | 2SK3004 | Außenmaße 1...... FM20 | Unknow |
62039 | 2SK3009 | Reihe VX-2 Energie MOSFET(600V 8A) | Shindengen |
62040 | 2SK301 | Si N FÜHRUNG JUCTION | Panasonic |
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