| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 63121 | 2SK416 | HOHE SPPED ENERGIE, die ergänzendes Paar mit 2SJ120L, 2sj120s SCHALTET | Hitachi Semiconductor |
| 63122 | 2SK416 | HOHE SPPED ENERGIE, die ergänzendes Paar mit 2SJ120L, 2sj120s SCHALTET | Hitachi Semiconductor |
| 63123 | 2SK416L | HOHE SPPED ENERGIE, die ergänzendes Paar mit 2SJ120L, 2sj120s SCHALTET | Hitachi Semiconductor |
| 63124 | 2SK416L | HOHE SPPED ENERGIE, die ergänzendes Paar mit 2SJ120L, 2sj120s SCHALTET | Hitachi Semiconductor |
| 63125 | 2SK416S | HOHE SPPED ENERGIE, die ergänzendes Paar mit 2SJ120L, 2sj120s SCHALTET | Hitachi Semiconductor |
| 63126 | 2SK416S | HOHE SPPED ENERGIE, die ergänzendes Paar mit 2SJ120L, 2sj120s SCHALTET | Hitachi Semiconductor |
| 63127 | 2SK417 | 2SK417 | TOSHIBA |
| 63128 | 2SK417 | 2SK417 | TOSHIBA |
| 63129 | 2SK4171 | Power MOSFET 60 V, 100 A, 7,2 mOhm Single N-Kanal | ON Semiconductor |
| 63130 | 2SK4174 | Silicon N-Kanal-Enhancement-MOSFET | Panasonic |
| 63131 | 2SK4206 | Silikon-N-Kanal-Sperrschicht-FET | Panasonic |
| 63132 | 2SK4206G | Silikon-N-Kanal-Sperrschicht-FET | Panasonic |
| 63133 | 2SK4207 | Leistungs-MOSFET (N-ch 700V | TOSHIBA |
| 63134 | 2SK4208 | Silicon N-Kanal-Enhancement-MOSFET | Panasonic |
| 63135 | 2SK427 | N-Führung Verzweigung Silikon Fet Morgens Tuner Rf Verstärker-Anwendungen | SANYO |
| 63136 | 2SK429 | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 63137 | 2SK429 | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 63138 | 2SK429L | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 63139 | 2SK429L | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 63140 | 2SK429S | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 63141 | 2SK429S | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 63142 | 2SK430 | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 63143 | 2SK430 | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 63144 | 2SK430L | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 63145 | 2SK430L | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 63146 | 2SK430S | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 63147 | 2SK430S | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 63148 | 2SK433 | 150mW SMD J-FET (Feldeffekttransistor), die maximale Bewertung: -50 V Vgdo, 10mA Ig, 0.6to 12 mA Idss. | Isahaya Electronics Corporation |
| 63149 | 2SK435 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 63150 | 2SK435 | Silikon N-Führung Verzweigung Fet | Hitachi Semiconductor |
| 63151 | 2SK435 | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 63152 | 2SK436 | Hoch-Frequenz, Niedrig-Frequenz Allgemein-Zweck Ampere Anwendungen | SANYO |
| 63153 | 2SK439 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 63154 | 2SK439 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 63155 | 2SK443 | Videokamera Erst-Stadium Anwendungen | SANYO |
| 63156 | 2SK444 | N-Führung Verzweigung Silikon Fet Videokamera-Anwendungen | SANYO |
| 63157 | 2SK445 | N-Führung Verzweigung Silikon Fet Videokamera-1. Stadium Anwendungen | SANYO |
| 63158 | 2SK447 | 2SK447 | Unknow |
| 63159 | 2SK447 | 2SK447 | Unknow |
| 63160 | 2SK492 | 150mW SMD J-FET (Feldeffekttransistor), die maximale Bewertung: -50 V Vgdo, 10mA Ig, 1 bis 12 mA Idss. | Isahaya Electronics Corporation |
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