| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 889761 | MMBT1010LT1 | Niedrige Sättigung Spannung | Leshan Radio Company |
| 889762 | MMBT1010LT1 | PNP UNIVERSELLE TREIBERTRANSISTOR-OBERFLÄCHE EINFASSUNG | Motorola |
| 889763 | MMBT1010LT1 | Geringe Sättigungsspannung PNP Silikon Treibertransistoren | ON Semiconductor |
| 889764 | MMBT1010LT1-D | Niedrige Sättigung Spannung PNP Silikon-Treibertransistoren | ON Semiconductor |
| 889765 | MMBT1010T1 | PNP UNIVERSELLE TREIBERTRANSISTOR-OBERFLÄCHE EINFASSUNG | ON Semiconductor |
| 889766 | MMBT1015 | Minigröße der getrennten Halbleiterelemente | SINYORK |
| 889767 | MMBT123S | Zweipolige Transistoren | Diodes |
| 889768 | MMBT123S-7 | 1A NPN OBERFLÄCHE EINFASSUNG TRANSISTOR | Diodes |
| 889769 | MMBT123S-7-F | Bipolare Transistoren | Diodes |
| 889770 | MMBT1815 | Minigröße der getrennten Halbleiterelemente | SINYORK |
| 889771 | MMBT200 | PNP Zweck-Verstärker | National Semiconductor |
| 889772 | MMBT200 | PNP Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 889773 | MMBT200A | PNP Zweck-Verstärker | National Semiconductor |
| 889774 | MMBT200A | PNP Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 889775 | MMBT2131 | Bipolarer Sperrschicht-Transistor | ON Semiconductor |
| 889776 | MMBT2131T1 | Bipolarer Sperrschicht-Transistor | ON Semiconductor |
| 889777 | MMBT2131T1-D | Universeller Bipolarer Sperrschicht-Transistor Der Transistor-PNP (Ergänzende NPN Vorrichtung: MMBT2132T1/T3) ANMERKUNG: Spannung und Strom sind für den PNP Transistor negativ. | ON Semiconductor |
| 889778 | MMBT2131T3 | Universelle Transistoren | ON Semiconductor |
| 889779 | MMBT2132 | Bipolarer Sperrschicht-Transistor | ON Semiconductor |
| 889780 | MMBT2132T1 | Universelle Transistoren | ON Semiconductor |
| 889781 | MMBT2132T1-D | Universeller Bipolarer Sperrschicht-Transistor Der Transistor-NPN (Ergänzende PNP Vorrichtung: MMBT2131T1/T3) | ON Semiconductor |
| 889782 | MMBT2132T3 | Bipolarer Sperrschicht-Transistor | ON Semiconductor |
| 889783 | MMBT2222 | NPN Schaltung Transistor | Philips |
| 889784 | MMBT2222 | NPN Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 889785 | MMBT2222 | NPN Silikon-Transistor. | Motorola |
| 889786 | MMBT2222 | 60 V, 600 mA, NPN Silizium-Epitaxie-Transistor | Samsung Electronic |
| 889787 | MMBT2222A | NPN Schaltung Transistor | Philips |
| 889788 | MMBT2222A | NPN Zweck-Verstärker | National Semiconductor |
| 889789 | MMBT2222A | NPN Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 889790 | MMBT2222A | KLEINER TRANSISTOR DES SIGNAL-NPN | ST Microelectronics |
| 889791 | MMBT2222A | Kleiner Signal-Transistor (NPN) | Vishay |
| 889792 | MMBT2222A | NPN Transistor | Microsemi |
| 889793 | MMBT2222A | Zweipolige Transistoren | Diodes |
| 889794 | MMBT2222A | Kleiner Signal-Transistor (NPN) | General Semiconductor |
| 889795 | MMBT2222A | Kleiner Signal-Transistor (NPN) | Comchip Technology |
| 889796 | MMBT2222A | NPN Zweck-Verstärker | Micro Commercial Components |
| 889797 | MMBT2222A | NPN Silikon-Schaltung Transistor | Infineon |
| 889798 | MMBT2222A | UNIVERSELLES SILIKON DES TRANSISTOR-NPN | Zowie Technology Corporation |
| 889799 | MMBT2222A | NPN-Schalttransistor | NXP Semiconductors |
| 889800 | MMBT2222A | VCE = 10V-Transistor | MCC |
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