Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
1165721 | STGIPL20K60 | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 20 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
1165722 | STGIPL30C60-H | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida módulo moldeado inteligente IPM, monofásica - 35 A, 1200 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
1165723 | STGIPN3H60 | SLLIMM (TM) nano del pequeño de baja pérdida módulo moldeado inteligente IPM, 3 A - 600 V 3 fases puente inversor IGBT | ST Microelectronics |
1165724 | STGIPN3H60-H | SLLIMM (TM) nano del pequeño de baja pérdida módulo moldeado inteligente IPM, 3 A - 600 V 3 fases puente inversor IGBT | ST Microelectronics |
1165725 | STGIPN3H60A | SLLIMM (TM) nano del pequeño de baja pérdida módulo moldeado inteligente IPM, 3 A - 600 V 3 fases puente inversor IGBT | ST Microelectronics |
1165726 | STGIPN3H60T-H | SLLIMM (TM) nano del pequeño de baja pérdida módulo moldeado inteligente IPM, 3 A - 600 V 3 fases puente inversor IGBT | ST Microelectronics |
1165727 | STGIPS10C60 | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 10 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
1165728 | STGIPS10C60-H | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 10 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
1165729 | STGIPS10K60A | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 10 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
1165730 | STGIPS10K60A2 | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 10 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
1165731 | STGIPS10K60T | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 10 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
1165732 | STGIPS10K60T-H | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida módulo moldeado inteligente) IPM, inversor de 3 fases - 10 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
1165733 | STGIPS14K60 | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 14 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
1165734 | STGIPS14K60T | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 14 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
1165735 | STGIPS14K60T-H | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 14 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
1165736 | STGIPS15C60 | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 15 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
1165737 | STGIPS15C60-H | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 15 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
1165738 | STGIPS20C60 | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 20 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
1165739 | STGIPS20C60-H | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 20 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
1165740 | STGIPS20K60 | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 18 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
1165741 | STGIPS30C60 | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 30 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
1165742 | STGIPS30C60-H | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 30 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
1165743 | STGIPS30C60T-H | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida inteligente IPM módulo moldeado, inversor de 3 fases - 30 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
1165744 | STGIPS40W60L1 | SLLIMM (TM) pequeña baja pérdida módulo moldeado inteligente IPM, monofásica - 40 A, 600 V de ultra IGBT rápido | ST Microelectronics |
1165745 | STGP10H60DF | Puerta Trench campo parar IGBT, serie H 600 V, 10 A alta velocidad | ST Microelectronics |
1165746 | STGP10N60 | N-canal 10A - NIVEL IGBT de la LÓGICA De 600V To-220 | ST Microelectronics |
1165747 | STGP10N60 | N-canal 10A - NIVEL IGBT de la LÓGICA De 600V To-220 | ST Microelectronics |
1165748 | STGP10N60L | N-canal 10A - NIVEL IGBT de la LÓGICA De 600V To-220 | SGS Thomson Microelectronics |
1165749 | STGP10NB37LZ | El N-canal AFIANZÓ 20A Con abrazadera To-220 POWERMESH INTERNAMENTE AFIANZADO Con abrazadera IGBT | ST Microelectronics |
1165750 | STGP10NB37LZ | El N-canal AFIANZÓ 20A Con abrazadera To-220 POWERMESH INTERNAMENTE AFIANZADO Con abrazadera IGBT | SGS Thomson Microelectronics |
1165751 | STGP10NB60S | N-canal 10A - 600V To-220 POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
1165752 | STGP10NB60S | N-canal 10A - 600V To-220 PowerMESH IGBT | SGS Thomson Microelectronics |
1165753 | STGP10NB60SD | 16 A, 600 V IGBT baja caída con diodo de recuperación suave y rápido | ST Microelectronics |
1165754 | STGP10NB60SDFP | N-canal 10A 600V To-220fp POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
1165755 | STGP10NB60SFP | N-canal 10A 600V To-220/tp-220fp/dpak PowerMESH"IGBT | ST Microelectronics |
1165756 | STGP10NC60HD | Serie muy rápida "H" | ST Microelectronics |
1165757 | STGP10NC60KD | 10 A, 600 V cortocircuito IGBT accidentado | ST Microelectronics |
1165758 | STGP12NB60H | 1À Del N-canal - 600V To-220 POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
1165759 | STGP12NB60H | 1À Del N-canal - 600V To-220 POWERMESH IGBT | SGS Thomson Microelectronics |
1165760 | STGP12NB60H | 1À Del N-canal - 600V To-220 PowerMESH IGBT | SGS Thomson Microelectronics |
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