| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 249841 | BC308BU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249842 | BC308C | Amplificador Transistors(PNP) | Motorola |
| 249843 | BC308C | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249844 | BC308C | Silicio De Transistors(PNP Del Amplificador) | ON Semiconductor |
| 249845 | BC308CBU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249846 | BC308TA | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249847 | BC308TAR | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249848 | BC309 | Usos de la conmutación y del amplificador | Fairchild Semiconductor |
| 249849 | BC309 | Transistor De fines generales | Korea Electronics (KEC) |
| 249850 | BC309 | Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 249851 | BC309 | TRANSISTORES EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Micro Electronics |
| 249852 | BC309 | Transistor. Conmutación y amplificadores aplicaciones. Tensión colector-base VCBO = -30V. Tensión de colector-emisor VCEO = -25V. Tensión emisor-base Vebo = -5V. Disipación del colector Pc (max) = 500 mW. Corriente de colector Ic = -1 | USHA India LTD |
| 249853 | BC309A | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249854 | BC309A | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249855 | BC309A | Propósito 0.350W general PNP Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 0.100A Ic, 120-220 hFE | Continental Device India Limited |
| 249856 | BC309ABU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249857 | BC309ATA | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249858 | BC309B | Amplificador Transistors(PNP) | Motorola |
| 249859 | BC309B | Propósito 0.350W general PNP Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 0.100A Ic, 200-460 hFE | Continental Device India Limited |
| 249860 | BC309BBU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249861 | BC309BTA | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249862 | BC309C | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249863 | BC309C | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249864 | BC309C | Propósito 0.350W general PNP Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 0.100A Ic, 420-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249865 | BC309CBU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249866 | BC313 | Mocy krzemowy del ¶redniej de Tranzystor, czêstotliwo¶ci del ma³ej | Ultra CEMI |
| 249867 | BC313 | Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 249868 | BC317 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Micro Electronics |
| 249869 | BC317 | Propósito General de 0.350W NPN Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.150A Ic, 110-450 hFE | Continental Device India Limited |
| 249870 | BC317A | Propósito General de 0.350W NPN Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.150A Ic, 110-220 hFE | Continental Device India Limited |
| 249871 | BC317B | Propósito General de 0.350W NPN Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.150A Ic, 200-450 hFE | Continental Device India Limited |
| 249872 | BC318 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Micro Electronics |
| 249873 | BC319 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Micro Electronics |
| 249874 | BC320 | TRANSISTORES EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Micro Electronics |
| 249875 | BC3200 | Rectificadores Del Silicio-Puente | Diotec Elektronische |
| 249876 | BC321 | TRANSISTORES EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Micro Electronics |
| 249877 | BC322 | TRANSISTORES EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Micro Electronics |
| 249878 | BC327 | Transistor de los fines generales de PNP | Philips |
| 249879 | BC327 | Usos de la conmutación y del amplificador | Fairchild Semiconductor |
| 249880 | BC327 | Transistor De fines generales | Korea Electronics (KEC) |
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