| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 252121 | BC849CW | Transistores de los fines generales de NPN | Philips |
| 252122 | BC849CW | Transistores de fines generales - paquete SOT323 | Infineon |
| 252123 | BC849CW | Transistor del AF del silicio de NPN (para las etapas de la entrada del AF y voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del aumento actual de los usos del conductor el alto) | Siemens |
| 252124 | BC849CW | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 252125 | BC849CW | NPN de propósito general | NXP Semiconductors |
| 252126 | BC849W | Transistores de los fines generales de NPN | Philips |
| 252127 | BC849W | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 252128 | BC849W | AF del silicio de PNP Transistores | Infineon |
| 252129 | BC850 | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 252130 | BC850 | Transistor De fines generales | Korea Electronics (KEC) |
| 252131 | BC850 | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252132 | BC850 | Transistores de los fines generales de NPN | Philips |
| 252133 | BC850 | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 252134 | BC850 | Transistores del Af Del Silicio de PNP | Infineon |
| 252135 | BC850 | Propósito General de 0.250W NPN SMD transistor. 45V VCEO, 0.100A Ic, 200-800 hFE. BC860 Complementaria | Continental Device India Limited |
| 252136 | BC850A | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252137 | BC850ALT1 | EL CASO 318-08, LABRA 6 SOT-23 (TO-23ãb) | Motorola |
| 252138 | BC850AMTF | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 252139 | BC850B | Transistores de los fines generales de NPN | Philips |
| 252140 | BC850B | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252141 | BC850B | Transistores de fines generales - paquete SOT23 | Infineon |
| 252142 | BC850B | Transistores del AF del silicio de NPN (para las etapas de la entrada del AF y aumento actual de los usos del conductor el alto) | Siemens |
| 252143 | BC850B | NPN de propósito general | NXP Semiconductors |
| 252144 | BC850B | Propósito General de 0.250W NPN SMD transistor. 45V VCEO, 0.100A Ic, 200-450 hFE. BC860B Complementaria | Continental Device India Limited |
| 252145 | BC850B | Superficie PlanarTransistors montaje Si-epitaxiales | Diotec Elektronische |
| 252146 | BC850B | Transistor NPN de propósito general y aplicaciones de conmutación | Korea Electronics (KEC) |
| 252147 | BC850B-2FZ | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Unknow |
| 252148 | BC850B-2FZ | SILICIO DE SOT23 NPN PLANAR | Zetex Semiconductors |
| 252149 | BC850B-2FZ | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Unknow |
| 252150 | BC850B-2FZ | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Unknow |
| 252151 | BC850B-2FZ | SILICIO DE SOT23 NPN PLANAR | Zetex Semiconductors |
| 252152 | BC850B-2FZ | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Unknow |
| 252153 | BC850BL | Transistor De fines generales | ON Semiconductor |
| 252154 | BC850BLT1 | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 252155 | BC850BLT1 | EL CASO 318-08, LABRA 6 SOT-23 (TO-23ãb) | Motorola |
| 252156 | BC850BLT1 | Transistor De fines generales | ON Semiconductor |
| 252157 | BC850BMTF | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 252158 | BC850BT | Transistores del Af Del Silicio de NPN | Infineon |
| 252159 | BC850BW | Transistores de los fines generales de NPN | Philips |
| 252160 | BC850BW | Transistores de fines generales - paquete SOT323 | Infineon |
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