| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 252641 | BC858B | Transistores, & del Rf; Af | Vishay |
| 252642 | BC858B | PNP transistores de propósito general | NXP Semiconductors |
| 252643 | BC858B | Propósito General de 0.250W PNP Transistor SMD. 30V VCEO, 0.100A Ic, 220-475 hFE. BC848B Complementaria | Continental Device India Limited |
| 252644 | BC858B | Superficie PlanarTransistors montaje Si-epitaxiales | Diotec Elektronische |
| 252645 | BC858B | Transistor PNP de propósito general y aplicaciones de conmutación | Korea Electronics (KEC) |
| 252646 | BC858B | Ic = 100mA, Vce = 5.0V transistor | MCC |
| 252647 | BC858B | 30 V, superficie de montaje PNP pequeña señal del transistor | TRANSYS Electronics Limited |
| 252648 | BC858B | 30 V, superficie de montaje PNP pequeña señal del transistor | TRSYS |
| 252649 | BC858B(Z) | Transistores de los fines SOT23 NPN SILICON PLANAR GENERALES | Diodes |
| 252650 | BC858B-3K | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252651 | BC858B-3K | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252652 | BC858B-7 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE PNP | Diodes |
| 252653 | BC858B-7 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE PNP | Diodes |
| 252654 | BC858B-7-F | Transistores bipolares | Diodes |
| 252655 | BC858BDW1T1 | Transistors(PNP De fines generales Dual Se dobla) | Leshan Radio Company |
| 252656 | BC858BF | Transistores de los fines generales de PNP | Philips |
| 252657 | BC858BF E6327 | Solos transistores del AF para los usos de fines generales | Infineon |
| 252658 | BC858BL | Transistor De fines generales | ON Semiconductor |
| 252659 | BC858BL3 | Solos transistores del AF para los usos de fines generales | Infineon |
| 252660 | BC858BLT1 | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 252661 | BC858BLT1 | EL CASO 318-08, LABRA 6 SOT-23 (TO-23ãb) | Motorola |
| 252662 | BC858BLT1 | Transistor De fines generales | ON Semiconductor |
| 252663 | BC858BLT1G | Transistores De fines generales | ON Semiconductor |
| 252664 | BC858BLT1G | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
| 252665 | BC858BLT1G | Transistores De fines generales | ON Semiconductor |
| 252666 | BC858BLT1G | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
| 252667 | BC858BLT3 | Transistor De fines generales | ON Semiconductor |
| 252668 | BC858BMTF | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252669 | BC858BW | > de los transistores; Señal pequeña Transistors(up bipolar a 0.6W) | ROHM |
| 252670 | BC858BW | Transistores Bipolares | Diodes |
| 252671 | BC858BW | Transistores de fines generales - paquete SOT23 | Infineon |
| 252672 | BC858BW | Transistores del AF del silicio de PNP (para las etapas de la entrada del AF y voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del aumento actual de los usos del conductor el alto) | Siemens |
| 252673 | BC858BW | Transistores De fines generales | ON Semiconductor |
| 252674 | BC858BW | Superficie PlanarTransistors montaje Si-epitaxiales | Diotec Elektronische |
| 252675 | BC858BW | Transistor PNP de propósito general y aplicaciones de conmutación | Korea Electronics (KEC) |
| 252676 | BC858BW-7 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE PNP | Diodes |
| 252677 | BC858BW-7 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE PNP | Diodes |
| 252678 | BC858BW-7-F | Transistores bipolares | Diodes |
| 252679 | BC858BW-G | Pequeña señal Transistor, V CBO = -30V, V CEO = -30V, V EBO = -5V, yo C = -0.1A | Comchip Technology |
| 252680 | BC858BWT1 | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
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