| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 253601 | BCP72M | Transistor De Energía del Af Del Silicio de PNP | Infineon |
| 253602 | BCP72M | Transistor de energía del AF del silicio de PNP (interruptor del dren para las etapas del amplificador de energía del RF para corriente del conductor del AF la alta y de colector de las etapas de la salida) | Siemens |
| 253603 | BCP75W | 5V y 3.3V, "Mitad-Ladrillo" 75 vatios, convertidores deDC/DC | Datel |
| 253604 | BCP75W | 5V y 3.3V, "Mitad-Ladrillo" 75 vatios, convertidores deDC/DC | Datel |
| 253605 | BCP75W | 5V y 3.3V, "Mitad-Ladrillo" 75 vatios, convertidores deDC/DC | Datel |
| 253606 | BCR | 20 x 20 Ta2 N Detra's-Entran en contacto con en el silicio <! - - SOLO --> del --><!-- híbrido | Vishay |
| 253607 | BCR 119 | Solos transistores del AF para los usos de fines generales | Infineon |
| 253608 | BCR 196 | Solos AF-Transistores (complejos) digitales en el paquete SOT23 | Infineon |
| 253609 | BCR 196W | Solos AF-Transistores (complejos) digitales en el paquete SOT323 | Infineon |
| 253610 | BCR08AM-14 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253611 | BCR08AM-14 | TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN DEL USO BAJO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253612 | BCR08AS | TIPO BAJO DEL USO NON-INSULATED DE LA ENERGÍA, TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Powerex Power Semiconductors |
| 253613 | BCR08AS-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253614 | BCR08AS-8 | El USO BAJO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO PLANAR de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253615 | BCR08AS-8 | TIPO BAJO DEL USO NON-INSULATED DE LA ENERGÍA, TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Powerex Power Semiconductors |
| 253616 | BCR08PN | Transistores Digital - paquete SOT363 | Infineon |
| 253617 | BCR08PN | Arsenal Digital Tansistor del silicio de NPN/PNP (circuito de la conmutación, inversor, circuito de interfaz, circuito de impulsión) | Siemens |
| 253618 | BCR10 | Arsenal Del Transistor Digital Del Silicio de NPN/PNP | Infineon |
| 253619 | BCR10 | Arsenal Digital Tansistor del silicio de NPN/PNP (circuito de la conmutación/circuito del inversor/de interfaz/circuito de impulsión) | Siemens |
| 253620 | BCR101 | Transistor Digital Del Silicio de NPN | Infineon |
| 253621 | BCR101F | Transistor Digital Del Silicio de NPN | Infineon |
| 253622 | BCR101FE6327 | Transistores Digital - R1 = kOhm 100;R2 = kOhm 100 | Infineon |
| 253623 | BCR101L3 | Solos AF-Transistores digitales (del resistor incorporado) en el paquete Tslp-3 | Infineon |
| 253624 | BCR101L3E6327 | Transistores Digital - R1 = kOhm 100;R2 = kOhm 100 | Infineon |
| 253625 | BCR101T | Solos AF-Transistores (complejos) digitales en el paquete SC75 | Infineon |
| 253626 | BCR101TE6327 | Transistores Digital - R1=100kOhm; R2=100kOhm | Infineon |
| 253627 | BCR103 | Transistor Digital Del Silicio de NPN | Infineon |
| 253628 | BCR103F | Solos AF-Transistores digitales (del resistor incorporado) en el paquete Tsfp-3 | Infineon |
| 253629 | BCR103FE6327 | Transistores Digital - R1 = kOhm 2.2; R2 = kOhm 2.2 | Infineon |
| 253630 | BCR103L3 | Solos AF-Transistores digitales (del resistor incorporado) en el paquete Tslp-3 | Infineon |
| 253631 | BCR103L3E6327 | Transistores Digital - R1 = kOhm 2.2; R2 = kOhm 2.2 | Infineon |
| 253632 | BCR103T | Solos AF-Transistores (complejos) digitales en el paquete SC75 | Infineon |
| 253633 | BCR103TE6327 | Transistores Digital - R1 Los = 2,2kOhm; R2 los = 2,2kOhm | Infineon |
| 253634 | BCR103U | Transistor Digital Del Silicio de NPN | Infineon |
| 253635 | BCR108 | Transistor Digital del silicio de NPN (circuito de la conmutación, inversor, circuito de interfaz, circuito del conductor | Siemens |
| 253636 | BCR108 | Solos AF-Transistores (complejos) digitales en el paquete SOT23 | Infineon |
| 253637 | BCR108E6327 | Transistores Digital - kOhm R1=2.2; R2=47kOhm | Infineon |
| 253638 | BCR108F | Solos AF-Transistores digitales (del resistor incorporado) en el paquete Tsfp-3 | Infineon |
| 253639 | BCR108FE6327 | Transistores Digital - R1 = kOhm 2.2; R2 = kOhm 47 | Infineon |
| 253640 | BCR108L3 | Solos AF-Transistores digitales (del resistor incorporado) en el paquete Tslp-3 | Infineon |
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