Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
26081 | 1N5525B | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
26082 | 1N5525B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAJAS DE LA SALIDA | Compensated Devices Incorporated |
26083 | 1N5525B | Fines generales Plomados Del Diodo Zener | Central Semiconductor |
26084 | 1N5525B | 0,4 W, baja tensión de avalancha del diodo. Tensión Zener nominal 6.2 V Corriente de prueba 1.0 mAdc. + -5% De tolerancia. | Jinan Gude Electronic Device |
26085 | 1N5525B (DO35) | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
26086 | 1N5525B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAJAS DE LA SALIDA | Compensated Devices Incorporated |
26087 | 1N5525B-1 | Baja Tensión Avalancha Zener | Microsemi |
26088 | 1N5525BUR-1 | Baja Tensión Avalancha Zener | Microsemi |
26089 | 1N5525C | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
26090 | 1N5525C | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
26091 | 1N5525D | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
26092 | 1N5525D | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
26093 | 1N5526 | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
26094 | 1N5526 | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
26095 | 1N5526 | RENDIMIENTO DE LOS DIODOS ZENER DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN ALTO: RUIDO BAJO, SALIDA BAJA | Knox Semiconductor Inc |
26096 | 1N5526A | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
26097 | 1N5526A | 0,4 W, baja tensión de avalancha del diodo. Tensión Zener nominal 6.8 V Corriente de prueba 1.0 mAdc. + -10% De tolerancia. | Jinan Gude Electronic Device |
26098 | 1N5526B | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
26099 | 1N5526B | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
26100 | 1N5526B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAJAS DE LA SALIDA | Compensated Devices Incorporated |
26101 | 1N5526B | Fines generales Plomados Del Diodo Zener | Central Semiconductor |
26102 | 1N5526B | 0,4 W, baja tensión de avalancha del diodo. Tensión Zener nominal 6.8 V Corriente de prueba 1.0 mAdc. + -5% De tolerancia. | Jinan Gude Electronic Device |
26103 | 1N5526B (DO35) | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
26104 | 1N5526B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAJAS DE LA SALIDA | Compensated Devices Incorporated |
26105 | 1N5526B-1 | Baja Tensión Avalancha Zener | Microsemi |
26106 | 1N5526BUR-1 | Baja Tensión Avalancha Zener | Microsemi |
26107 | 1N5526C | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
26108 | 1N5526C | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
26109 | 1N5526D | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
26110 | 1N5526D | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
26111 | 1N5527 | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
26112 | 1N5527 | DIODOS DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN 0.4CW | Jinan Gude Electronic Device |
26113 | 1N5527 | RENDIMIENTO DE LOS DIODOS ZENER DE LA AVALANCHA DE LA BAJA TENSIÓN ALTO: RUIDO BAJO, SALIDA BAJA | Knox Semiconductor Inc |
26114 | 1N5527A | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
26115 | 1N5527A | 0,4 W, baja tensión de avalancha del diodo. Tensión Zener nominal de 7,5 V. Corriente de prueba 1.0 mAdc. + -10% De tolerancia. | Jinan Gude Electronic Device |
26116 | 1N5527B | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
26117 | 1N5527B | Avalancha Zener De la Baja Tensión | Microsemi |
26118 | 1N5527B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAJAS DE LA SALIDA | Compensated Devices Incorporated |
26119 | 1N5527B | Fines generales Plomados Del Diodo Zener | Central Semiconductor |
26120 | 1N5527B | 0,4 W, baja tensión de avalancha del diodo. Tensión Zener nominal de 7,5 V. Corriente de prueba 1.0 mAdc. + -5% De tolerancia. | Jinan Gude Electronic Device |
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