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Nr.	Nombre de la Parte	Descripción	Fabricante
42921	28LV256SM-4	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 250 ns.	Turbo IC
42922	28LV256SM-5	Velocidad: 300 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42923	28LV256SM-5	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 300 ns.	Turbo IC
42924	28LV256SM-6	Velocidad: 400 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42925	28LV256SM-6	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 400 ns.	Turbo IC
42926	28LV256TC-3	Velocidad: 200 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42927	28LV256TC-3	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 200 ns.	Turbo IC
42928	28LV256TC-4	Velocidad: 250 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42929	28LV256TC-4	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 250 ns.	Turbo IC
42930	28LV256TC-5	Velocidad: 300 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42931	28LV256TC-5	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 300 ns.	Turbo IC
42932	28LV256TC-6	Velocidad: 400 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42933	28LV256TC-6	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 400 ns.	Turbo IC
42934	28LV256TI-3	Velocidad: 200 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42935	28LV256TI-3	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 200 ns.	Turbo IC
42936	28LV256TI-4	Velocidad: 250 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42937	28LV256TI-4	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 250 ns.	Turbo IC
42938	28LV256TI-5	Velocidad: 300 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC

42939	28LV256TI-5	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 300 ns.	Turbo IC
42940	28LV256TI-6	Velocidad: 400 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42941	28LV256TI-6	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 400 ns.	Turbo IC
42942	28LV256TM-3	Velocidad: 200 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42943	28LV256TM-3	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 200 ns.	Turbo IC
42944	28LV256TM-4	Velocidad: 250 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42945	28LV256TM-4	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 250 ns.	Turbo IC
42946	28LV256TM-5	Velocidad: 300 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42947	28LV256TM-5	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 300 ns.	Turbo IC
42948	28LV256TM-6	Velocidad: 400 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42949	28LV256TM-6	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 400 ns.	Turbo IC
42950	28LV64	64CK-BIT CMOS EEPROM PARALELO	Catalyst Semiconductor
42951	28LV64A	Note:This product has become 'Obsolete' and is no longer offered as a viable device for design.28LV64A is a 64K bit CMOS Parallel EEPROM organized as 8K words by 8 bits. The 28LV64A is accessed like a static RAM for the read or	Microchip
42952	28LV64A-20/L	64K (baja tensión Cmos EEPROM de 8K x 8)	Microchip
42953	28LV64A-20/P	64K (baja tensión Cmos EEPROM de 8K x 8)	Microchip
42954	28LV64A-20/SO	64K (baja tensión Cmos EEPROM de 8K x 8)	Microchip
42955	28LV64A-20/TS	64K (baja tensión Cmos EEPROM de 8K x 8)	Microchip
42956	28LV64A-20/VS	64K (baja tensión Cmos EEPROM de 8K x 8)	Microchip
42957	28LV64A-20I/L	64K (baja tensión Cmos EEPROM de 8K x 8)	Microchip
42958	28LV64A-20I/P	64K (baja tensión Cmos EEPROM de 8K x 8)	Microchip
42959	28LV64A-20I/SO	64K (baja tensión Cmos EEPROM de 8K x 8)	Microchip
42960	28LV64A-20I/TS	64K (baja tensión Cmos EEPROM de 8K x 8)	Microchip

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