| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 502001 | HN3G01J | TRANSISTOR EPITAXIAL Del TIPO Del SILICIO NPN Del Fet Del TIPO De la ENSAMBLADURA Del CANAL De N | TOSHIBA |
| 502002 | HN4400 | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Honey Technology |
| 502003 | HN4400 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN EXPITAXIAL | Semtech |
| 502004 | HN4401 | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Honey Technology |
| 502005 | HN4401 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN EXPITAXIAL | Semtech |
| 502006 | HN4402 | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Honey Technology |
| 502007 | HN4402 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE PNP EXPITAXIAL | Semtech |
| 502008 | HN4403 | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Honey Technology |
| 502009 | HN4403 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE PNP EXPITAXIAL | Semtech |
| 502010 | HN462716 | 2048 palabra x 8 borrables del pedacito y EPROM UV | Hitachi Semiconductor |
| 502011 | HN462716G | SOLAMENTE MEMORIA BORRABLE 8-BIT de 2048-WORD x Y ELÉCTRICAMENTEPROGRAMABLE UV | Hitachi Semiconductor |
| 502012 | HN462732 | 4096 palabra x 8 borrables del pedacito y EPROM UV | Hitachi Semiconductor |
| 502013 | HN48016 | De WORD X 8 Del PEDACITO 2048 ROM BORRABLE Y PROGRAMABLEELÉCTRICAMENTE | Hitachi Semiconductor |
| 502014 | HN48016P | De WORD X 8 Del PEDACITO 2048 ROM BORRABLE Y PROGRAMABLEELÉCTRICAMENTE | Hitachi Semiconductor |
| 502015 | HN4827128 | Memoria sólo para leer borrable de la 16384-Palabra x y programableUV 8-bit | Hitachi Semiconductor |
| 502016 | HN4A06J | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 502017 | HN4A08J | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 502018 | HN4A51J | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 502019 | HN4A56JU | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 502020 | HN4B01JE | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 502021 | HN4B04J | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 502022 | HN4B06J | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 502023 | HN4B101J | Transistor de potencia para aplicaciones de conmutación de alta velocidad | TOSHIBA |
| 502024 | HN4B102J | Transistor de potencia para aplicaciones de conmutación de alta velocidad | TOSHIBA |
| 502025 | HN4C05JU | Multi usos de fines generales discretos del amplificador de la frecuencia audio del dispositivo de la viruta para los usos que apagan y que cambian | TOSHIBA |
| 502026 | HN4C06J | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 502027 | HN4C51J | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 502028 | HN4D01JU | Diodo de conmutación | TOSHIBA |
| 502029 | HN4D02JU | Diodo de conmutación | TOSHIBA |
| 502030 | HN4K03JU | Usos Análogos Del Interruptor De los Usos De alta velocidad De la Conmutación Del Tipo del MOS Del Canal Del Silicio N Del Transistor De Efecto De Campo | TOSHIBA |
| 502031 | HN5400 | Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de PNP | Honey Technology |
| 502032 | HN5400 | Transistor planar de Expitaxial del silicio de PNP para los usos de fines generales/de alto voltaje del amplificador | Semtech |
| 502033 | HN5401 | Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de PNP | Honey Technology |
| 502034 | HN5401 | Transistor planar de Expitaxial del silicio de PNP para los usos de fines generales/de alto voltaje del amplificador | Semtech |
| 502035 | HN546 | Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de NPN | Honey Technology |
| 502036 | HN546 | Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de NPN | Semtech |
| 502037 | HN547 | Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de NPN | Honey Technology |
| 502038 | HN547 | Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de NPN | Semtech |
| 502039 | HN548 | Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de NPN | Semtech |
| 502040 | HN549 | Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de NPN | Honey Technology |
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