Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
50681 | 2SA1612-T2 | Transistor del silicio | NEC |
50682 | 2SA1614 | Para la conmutación de alta velocidad | Panasonic |
50683 | 2SA1615 | Transistor del silicio | NEC |
50684 | 2SA1615(1) | Transistor del silicio | NEC |
50685 | 2SA1615-Z | Transistor del silicio | NEC |
50686 | 2SA1617 | Transistor Del Silicio PNP | Hitachi Semiconductor |
50687 | 2SA1617 | Silicio PNP Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
50688 | 2SA1618 | Usos de fines generales epitaxial del amplificador de la frecuencia audio del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) | TOSHIBA |
50689 | 2SA1619 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - General-utilice Amplifires de baja frecuencia | Panasonic |
50690 | 2SA1619A | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - General-utilice Amplifires de baja frecuencia | Panasonic |
50691 | 2SA1620 | Usos epitaxial del amplificador de la frecuencia audio del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) | TOSHIBA |
50692 | 2SA1621 | Usos audio epitaxial del amplificador de energía del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) | TOSHIBA |
50693 | 2SA1624 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | SANYO |
50694 | 2SA1624 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | SANYO |
50695 | 2SA1625 | Amplificador del propósito de TRANSISTOR(general del SILICIO de PNP y conmutación de alta velocidad) | NEC |
50696 | 2SA1625 | Interruptores de alta tensión. Tensión colector-base: VCBO = -400V. Tensión de colector-emisor: VCEO = -400V. Tensión emisor-base Vebo = 7V. Disipación del colector: Pc (máx) = o.75W. | USHA India LTD |
50697 | 2SA1625-T | Transistor del silicio | NEC |
50698 | 2SA1625-T/JD | Transistor del silicio | NEC |
50699 | 2SA1625-T/JM | Transistor del silicio | NEC |
50700 | 2SA1625/JD | Transistor del silicio | NEC |
50701 | 2SA1625/JM | Transistor del silicio | NEC |
50702 | 2SA1626 | Amplificador del propósito de TRANSISTOR(general del SILICIO de PNP y conmutación de alta velocidad) | NEC |
50703 | 2SA1627 | Amplificador del propósito de TRANSISTOR(general del SILICIO de PNP y conmutación de alta velocidad) | NEC |
50704 | 2SA1633 | TRANSISTORES | Unknow |
50705 | 2SA1633 | TRANSISTORES | Unknow |
50706 | 2SA1634 | PAQUETE GRABADO DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA PARA EL USO CON UNA MÁQUINA DE COLOCACIÓN AUTOMÁTICA | ROHM |
50707 | 2SA1634 | PAQUETE GRABADO DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA PARA EL USO CON UNA MÁQUINA DE COLOCACIÓN AUTOMÁTICA | ROHM |
50708 | 2SA1635 | PAQUETE GRABADO DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA PARA EL USO CON UNA MÁQUINA DE COLOCACIÓN AUTOMÁTICA | ROHM |
50709 | 2SA1635 | PAQUETE GRABADO DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA PARA EL USO CON UNA MÁQUINA DE COLOCACIÓN AUTOMÁTICA | ROHM |
50710 | 2SA1641 | Usos De gran intensidad De la Conmutación Del Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de PNP | SANYO |
50711 | 2SA1645 | Transistor epitaxial del silicio del tipo de PNP | NEC |
50712 | 2SA1645-Z | Transistor epitaxial del silicio del tipo de PNP | NEC |
50713 | 2SA1645-Z-E1 | Transistor epitaxial del silicio del tipo de PNP | NEC |
50714 | 2SA1646 | Alta conmutación de la velocidad | NEC |
50715 | 2SA1646-Z | Alta conmutación de la velocidad | NEC |
50716 | 2SA1646-Z-E1 | Alta conmutación de la velocidad | NEC |
50717 | 2SA1647 | Alta conmutación de la velocidad | NEC |
50718 | 2SA1647-Z | Alta conmutación de la velocidad | NEC |
50719 | 2SA1647-Z-E1 | Alta conmutación de la velocidad | NEC |
50720 | 2SA1647-Z-E2 | Alta conmutación de la velocidad | NEC |
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