| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 55721 | 2SC4958-T2 | MOLDE ESTUPENDO DEL RUIDO DEL AMPLIFICADOR NPN DEL TRANSISTOR EPITAXIAL BAJO DE ALTA FRECUENCIA DEL SILICIO MINI | NEC |
| 55722 | 2SC4959 | MOLDE ESTUPENDO DEL RUIDO DEL AMPLIFICADOR NPN DEL TRANSISTOR EPITAXIAL BAJO DE ALTA FRECUENCIA DEL SILICIO MINI | NEC |
| 55723 | 2SC4959-T1 | MOLDE ESTUPENDO DEL RUIDO DEL AMPLIFICADOR NPN DEL TRANSISTOR EPITAXIAL BAJO DE ALTA FRECUENCIA DEL SILICIO MINI | NEC |
| 55724 | 2SC4959-T2 | MOLDE ESTUPENDO DEL RUIDO DEL AMPLIFICADOR NPN DEL TRANSISTOR EPITAXIAL BAJO DE ALTA FRECUENCIA DEL SILICIO MINI | NEC |
| 55725 | 2SC4960 | Dispositivo De Energía - Transistores De Energía - Swicthing | Panasonic |
| 55726 | 2SC4960A | Conmutación planar de la energía del type(For de la difusión triple del silicio NPN) | Panasonic |
| 55727 | 2SC4964 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
| 55728 | 2SC4964 | Silicio NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 55729 | 2SC4964 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 55730 | 2SC4965 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
| 55731 | 2SC4965 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 55732 | 2SC4968 | Amplificación de poco ruido de la cepilladora del silicio NPN de la venda DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA epitaxial del type(For) | Panasonic |
| 55733 | 2SC4976 | Usos Video De la Salida Del Silicio de NPN De los Transistores De la Exhibición De alta definición Planar Epitaxial de la CRT | SANYO |
| 55734 | 2SC4977 | TIPO TRANSISTORES BIPOLARES DEL MOLDE | Unknow |
| 55735 | 2SC4977 | TIPO TRANSISTORES BIPOLARES DEL MOLDE | Unknow |
| 55736 | 2SC4978 | Serie De los Transistores/HSV De la Conmutación Del Voltaje De la Bajo-Saturacio'n (Montaje Superficial) | Shindengen |
| 55737 | 2SC4978 | Baja saturación de alta velocidad de conmutación de tensión del transistor bipolar | Shindengen |
| 55738 | 2SC4979 | Serie De los Transistores/HSV De la Conmutación Del Voltaje De la Bajo-Saturacio'n (Montaje Superficial) | Shindengen |
| 55739 | 2SC4979 | Baja saturación de alta velocidad de conmutación de tensión del transistor bipolar | Shindengen |
| 55740 | 2SC4980 | Serie De los Transistores/HSV De la Conmutación Del Voltaje De la Bajo-Saturacio'n (Tipo De Tres Terminales) | Shindengen |
| 55741 | 2SC4981 | Serie De los Transistores/HSV De la Conmutación Del Voltaje De la Bajo-Saturacio'n (Tipo De Tres Terminales) | Shindengen |
| 55742 | 2SC4982 | Serie De los Transistores/HSV De la Conmutación Del Voltaje De la Bajo-Saturacio'n (Tipo De Tres Terminales) | Shindengen |
| 55743 | 2SC4983 | Usos De uso general De baja frecuencia Del Amplificador Del Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de NPN | SANYO |
| 55744 | 2SC4984 | Usos De uso general De baja frecuencia Del Amplificador De los Transistores Planar Epitaxial Del Silicio de NPN | SANYO |
| 55745 | 2SC4985 | Dispositivo De Energía - Transistores De Energía - Swicthing | Panasonic |
| 55746 | 2SC4986 | Para la alta tensión de ruptura de conmutación de alta velocidad | Panasonic |
| 55747 | 2SC4987 | Usos De alta velocidad De la Conmutación Del Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de NPN | SANYO |
| 55748 | 2SC4988 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
| 55749 | 2SC4988 | Silicio NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 55750 | 2SC4988 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 55751 | 2SC4989 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 55752 | 2SC4993 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
| 55753 | 2SC4993 | Silicio NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 55754 | 2SC4994 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
| 55755 | 2SC4994 | Silicio NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 55756 | 2SC4995 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
| 55757 | 2SC4995 | Silicio NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 55758 | 2SC4995 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 55759 | 2SC5000 | TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR. USOS DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA | TOSHIBA |
| 55760 | 2SC5001 | > de los transistores; Energía Media Transistors(0.5W-1.0W) Bipolar | ROHM |
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