| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 567881 | IRF440 | 500V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âa | International Rectifier |
| 567882 | IRF440 | MOSFETs/Å/450 V/500V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567883 | IRF440 | Mosfet De la Energía De Å/De 500V/0,850 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 567884 | IRF440 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567885 | IRF440-443 | MOSFETs/Å/450 V/500V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567886 | IRF441 | MOSFETs/Å/450 V/500V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567887 | IRF441 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567888 | IRF441 | 7A y 8A, 450V y 500V, 0,85 y 1,1 ohmios, N-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
| 567889 | IRF442 | MOSFETs/Å/450 V/500V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567890 | IRF442 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567891 | IRF442 | 7A y 8A, 450V y 500V, 0,85 y 1,1 ohmios, N-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
| 567892 | IRF443 | MOSFETs/Å/450 V/500V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567893 | IRF443 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567894 | IRF443 | 7A y 8A, 450V y 500V, 0,85 y 1,1 ohmios, N-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
| 567895 | IRF450 | Mosfet Del Canal De N | Microsemi |
| 567896 | IRF450 | 500V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âa | International Rectifier |
| 567897 | IRF450 | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | SemeLAB |
| 567898 | IRF450 | Mosfet De la Energía Del 1Á/500V/0,400 Ohmios/N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567899 | IRF450 | Mosfet De la Energía Del 1Á/500V/0,400 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 567900 | IRF450 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567901 | IRF450 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 500V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 13A. | General Electric Solid State |
| 567902 | IRF451 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567903 | IRF451 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 450V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 13A. | General Electric Solid State |
| 567904 | IRF451 | 11A y 13A, 450V y 500V, 0,4 y 0,5 ohmios, N-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
| 567905 | IRF452 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567906 | IRF452 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 500V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 12A. | General Electric Solid State |
| 567907 | IRF452 | 11A y 13A, 450V y 500V, 0,4 y 0,5 ohmios, N-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
| 567908 | IRF453 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567909 | IRF453 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 450V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 12A. | General Electric Solid State |
| 567910 | IRF453 | 11A y 13A, 450V y 500V, 0,4 y 0,5 ohmios, N-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
| 567911 | IRF460 | 500V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âe | International Rectifier |
| 567912 | IRF460 | MOSFETS DE ALTO VOLTAJE de la ENERGÍA del MODO del REALCE Del N-canal | SemeLAB |
| 567913 | IRF4905 | -55V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 567914 | IRF4905L | -55V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
| 567915 | IRF4905PBF | -55V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 567916 | IRF4905S | -55V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567917 | IRF4905STRL | -55V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567918 | IRF4905STRL-111 | -55V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567919 | IRF4905STRR | -55V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567920 | IRF500 | 50W al ALUMINIO FORMADO PLANO de los RESISTORES de la HERIDA del ALAMBRE de la ALTA ENERGÍA 500W CONTUVO | etc |
| | | |
