| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 568921 | IRF841 | TRANSISTOR de EFECTO de CAMPO de la ENERGÍA de la PUERTA de SILICIO Del Realce-modo Del N-canal TMOS | Motorola |
| 568922 | IRF841 | MOSFETs/Å/450 V/500V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 568923 | IRF841 | N-canal de los TRANSISTORES | International Rectifier |
| 568924 | IRF841 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 568925 | IRF841 | HEXFET de canal N, 450V, 8A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568926 | IRF841F1 | HEXFET canal N, 450V, 4,5 A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568927 | IRF842 | TRANSISTOR de EFECTO de CAMPO de la ENERGÍA de la PUERTA de SILICIO Del Realce-modo Del N-canal TMOS | Motorola |
| 568928 | IRF842 | MOSFETs/Å/450 V/500V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 568929 | IRF842 | N-canal de los TRANSISTORES | International Rectifier |
| 568930 | IRF843 | TRANSISTOR de EFECTO de CAMPO de la ENERGÍA de la PUERTA de SILICIO Del Realce-modo Del N-canal TMOS | Motorola |
| 568931 | IRF843 | MOSFETs/Å/450 V/500V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 568932 | IRF843 | N-canal de los TRANSISTORES | International Rectifier |
| 568933 | IRF8910 | 20V se doblan MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568934 | IRF8915 | 20V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568935 | IRF9130 | -100V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âa | International Rectifier |
| 568936 | IRF9130 | Mosfet de la ENERGÍA Del P-canal | SemeLAB |
| 568937 | IRF9130 | Mosfet De la Energía Del 1À/-100V/0,30 Ohmios/P-Canal | Intersil |
| 568938 | IRF9130 | MOSFETS de la ENERGÍA Del P-canal | Samsung Electronic |
| 568939 | IRF9130SMD | Mosfet de la ENERGÍA Del P-canal PARA LOS USOS de HI.REL | SemeLAB |
| 568940 | IRF9131 | MOSFETS de la ENERGÍA Del P-canal | Samsung Electronic |
| 568941 | IRF9131 | -10A Y -12A, -80V y -100V, 0.30 y 0.40 Ohm, P-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
| 568942 | IRF9132 | MOSFETS de la ENERGÍA Del P-canal | Samsung Electronic |
| 568943 | IRF9132 | -10A Y -12A, -80V y -100V, 0.30 y 0.40 Ohm, P-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
| 568944 | IRF9133 | MOSFETS de la ENERGÍA Del P-canal | Samsung Electronic |
| 568945 | IRF9133 | -10A Y -12A, -80V y -100V, 0.30 y 0.40 Ohm, P-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
| 568946 | IRF9140 | -100V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âa | International Rectifier |
| 568947 | IRF9140 | Mosfet de la ENERGÍA Del P-canal | SemeLAB |
| 568948 | IRF9140 | Mosfet De la Energía De 19A/De -100V/0,200 Ohmios/P-Canal | Intersil |
| 568949 | IRF9140 | 100 V, potencia MOSFET de canal P | Samsung Electronic |
| 568950 | IRF9141 | -19A Y -15A, -80V y -100V, 0.20 y 0.30 Ohm, P-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
| 568951 | IRF9141 | 60 V, potencia MOSFET de canal P | Samsung Electronic |
| 568952 | IRF9142 | -19A Y -15A, -80V y -100V, 0.20 y 0.30 Ohm, P-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
| 568953 | IRF9142 | 100 V, potencia MOSFET de canal P | Samsung Electronic |
| 568954 | IRF9143 | -19A Y -15A, -80V y -100V, 0.20 y 0.30 Ohm, P-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
| 568955 | IRF9143 | 60 V, potencia MOSFET de canal P | Samsung Electronic |
| 568956 | IRF9150 | Mosfet Del Canal De P | Microsemi |
| 568957 | IRF9150 | Mosfet De la Energía De 2Ä/De -100V/0,150 Ohmios/P-Canal | Intersil |
| 568958 | IRF9151 | -25Â, -80V Y -100V, 0.150 Ohmio, P-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
| 568959 | IRF9230 | -200V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âa | International Rectifier |
| 568960 | IRF9230 | Mosfet de la ENERGÍA Del P-canal | SemeLAB |
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