Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
58241 | 2SD2383 | Transistor 20mA/300V de la absorción del relámpago de alto-voltio de NPN | NEC |
58242 | 2SD2384 | El silicio NPN del transistor triplica usos difundidos del amplificador de energía del tipo (transistor de energía de Darlington) | TOSHIBA |
58243 | 2SD2385 | El silicio NPN del transistor triplica usos difundidos del amplificador de energía del tipo (transistor de energía de Darlington) | TOSHIBA |
58244 | 2SD2386 | El silicio NPN del transistor triplica usos difundidos del amplificador de energía del tipo (transistor de energía de Darlington) | TOSHIBA |
58245 | 2SD2387 | El silicio NPN del transistor triplica usos difundidos del amplificador de energía del tipo (transistor de energía de Darlington) | TOSHIBA |
58246 | 2SD2388 | TRANSISTOR GRABADO ENERGÍA DEL PAQUETE 1.2W DISEÑADO PARA EL USO CON UNA COLOCACIÓN AUTOMÁTICA MECHINE | ROHM |
58247 | 2SD2388 | TRANSISTOR GRABADO ENERGÍA DEL PAQUETE 1.2W DISEÑADO PARA EL USO CON UNA COLOCACIÓN AUTOMÁTICA MECHINE | ROHM |
58248 | 2SD2389 | El silicio NPN triplica Transistor(Audio planar difundido/el regulador y fines generales de la serie) | Sanken |
58249 | 2SD2390 | El silicio NPN triplica Transistor(Audio planar difundido/el regulador y fines generales de la serie) | Sanken |
58250 | 2SD2391 | > de los transistores; Energía Media Transistors(0.5W-1.0W) Bipolar | ROHM |
58251 | 2SD2394 | Transistor De Energía | ROHM |
58252 | 2SD2395 | Transistor De Energía (-50V/-Á) | ROHM |
58253 | 2SD2396 | Transistor De la Frecuencia Baja (60V/Á) | ROHM |
58254 | 2SD2397 | Impulsión media) de la energía Transistor(Motor/del relais (6010V/À) | ROHM |
58255 | 2SD2398 | Transistor De Energía (100V/À) | ROHM |
58256 | 2SD2399 | Transistor, NPN, Darlington | ROHM |
58257 | 2SD2399 | PAQUETE GRABADO DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA PARA EL USO CON UNA MÁQUINA DE COLOCACIÓN AUTOMÁTICA | ROHM |
58258 | 2SD2399 | Transistor, NPN, Darlington | ROHM |
58259 | 2SD2399 | PAQUETE GRABADO DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA PARA EL USO CON UNA MÁQUINA DE COLOCACIÓN AUTOMÁTICA | ROHM |
58260 | 2SD2400 | PAQUETE GRABADO DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA PARA EL USO CON UNA MÁQUINA DE COLOCACIÓN AUTOMÁTICA | ROHM |
58261 | 2SD2400 | PAQUETE GRABADO DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA PARA EL USO CON UNA MÁQUINA DE COLOCACIÓN AUTOMÁTICA | ROHM |
58262 | 2SD2400A | TRANSISTOR DE ENERGÍA | ROHM |
58263 | 2SD2401 | Silicio NPN Transistor(Audio planar difundido triple, regulador de la serie y fines generales) | Sanken |
58264 | 2SD2401 | Silicio NPN Transistor(Audio planar difundido triple, regulador de la serie y fines generales) | Sanken |
58265 | 2SD2402 | Transistor epitaxial del silicio del tipo de NPN | NEC |
58266 | 2SD2403 | Transistor epitaxial del silicio del tipo de NPN | NEC |
58267 | 2SD2406 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLE DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR. USOS DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA | TOSHIBA |
58268 | 2SD2413 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - General-utilice Amplifires de baja frecuencia | Panasonic |
58269 | 2SD2413G | Silicio NPN difusión triple de tipo planar | Panasonic |
58270 | 2SD2414 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLE DE NPN (ALTOS USOS ACTUALES DEL AMPLIFICADOR DE LA CONMUTACIÓN/DE ENERGÍA) | TOSHIBA |
58271 | 2SD2414(SM) | Usos Actuales Difundidos Triples Del Amplificador De Energía De los Usos De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor Altos | TOSHIBA |
58272 | 2SD2414SM | Altos Usos Actuales Del Amplificador De Energía De losUsos De la Conmutación | TOSHIBA |
58273 | 2SD2414SM | Altos Usos Actuales Del Amplificador De Energía De losUsos De la Conmutación | TOSHIBA |
58274 | 2SD2416 | Amplificación de baja frecuencia de la cepilladora del silicio NPN del darlington(For epitaxial del tipo) | Panasonic |
58275 | 2SD2420 | Dispositivo de energía - transistores de energía - amplificación de uso general de la energía | Panasonic |
58276 | 2SD2420A | Dispositivo de energía - transistores de energía - amplificación de uso general de la energía | Panasonic |
58277 | 2SD2423 | Transistor Del Silicio NPN Darlington | Hitachi Semiconductor |
58278 | 2SD2423 | Silicio NPN Epitaxial, Darlington | Hitachi Semiconductor |
58279 | 2SD2423 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
58280 | 2SD2425 | Amperio bajo de la energía de freq., transistor de velocidad mediana de la conmutación | NEC |
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