| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 801681 | MC26C31D | Conductor De Línea Del Cuadrángulo Eia-422-a | Motorola |
| 801682 | MC26C31P | Conductor De Línea Del Cuadrángulo Eia-422-a | Motorola |
| 801683 | MC26C32 | Receptor De la Línea Del Cuadrángulo Eia-422-a | Motorola |
| 801684 | MC26C32D | Receptor De la Línea Del Cuadrángulo Eia-422-a | Motorola |
| 801685 | MC26C32P | Receptor De la Línea Del Cuadrángulo Eia-422-a | Motorola |
| 801686 | MC26LS30 | Diferenciado Dual Conductores De Línea Single-Ended (De EIA-422-A)/Quad (Eia-423-a) | ON Semiconductor |
| 801687 | MC26LS30-D | Conductores De Línea Single-Ended Duales Del Diferencial (Eia-422-a)/Del Cuadrángulo (Eia-423-a) | ON Semiconductor |
| 801688 | MC26LS30D | Diferenciado Dual Conductores De Línea Single-Ended (De EIA-422-A)/Quad (Eia-423-a) | ON Semiconductor |
| 801689 | MC26LS30DR2 | Diferenciado Dual Conductores De Línea Single-Ended (De EIA-422-A)/Quad (Eia-423-a) | ON Semiconductor |
| 801690 | MC26LS31 | Conductor De Línea Del Cuadrángulo | Motorola |
| 801691 | MC26LS31D | La línea conductor del cuadrángulo con el NAND permitió salidas del Tres-Estado | Motorola |
| 801692 | MC26LS31D | La línea conductor del cuadrángulo con el NAND permitió salidas del Tres-Estado | Motorola |
| 801693 | MC2800 | 0.3-7.0V; 600mW; 40 MHz; procesador movimiento navegador. Para servo cepillado y sin escobillas de control de movimiento del servo | Performance Motion Devices |
| 801694 | MC2830D | Interruptor Activado Voz | Motorola |
| 801695 | MC2830P | Interruptor Activado Voz | Motorola |
| 801696 | MC2831 | Diodo de señal pequeña. Para la aplicación de conmutación de alta velocidad. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 75 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 801697 | MC2831AD | 10V; 25mA; bajo consumo de energía del sistema transmisor de FM | Motorola |
| 801698 | MC2831AP | 10V; 25mA; bajo consumo de energía del sistema transmisor de FM | Motorola |
| 801699 | MC2832 | Diodo de señal pequeña. Para la aplicación de conmutación de alta velocidad. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 75 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 801700 | MC2833 | Sistema Bajo Del Transmisor De la Energía FM | Motorola |
| 801701 | MC2833 | Diodo de señal pequeña. Para la aplicación de conmutación de alta velocidad. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 75 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 801702 | MC2833D | Sistema Bajo Del Transmisor De la Energía FM | Motorola |
| 801703 | MC2833P | Sistema Bajo Del Transmisor De la Energía FM | Motorola |
| 801704 | MC2834 | Diodo de señal pequeña. Para la aplicación de conmutación de alta velocidad. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 75 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 801705 | MC2835 | Diodo de señal pequeña. Para la aplicación general de la conmutación. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 35 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 801706 | MC2836 | Diodos Pla'stico-Encapsulados SOT-23 | TRANSYS Electronics Limited |
| 801707 | MC2836 | Diodos Pla'stico-Encapsulados SOT-23 | TRANSYS Electronics Limited |
| 801708 | MC2836 | Diodo de señal pequeña. Para la aplicación general de la conmutación. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 75 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 801709 | MC2837 | Diodo de señal pequeña. Para la aplicación de conmutación de alta velocidad. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 85 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 801710 | MC2838 | Diodo de señal pequeña. Para la aplicación de conmutación de alta velocidad. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 75 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 801711 | MC2839 | Diodo de señal pequeña. Para la aplicación de conmutación de alta velocidad. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 85 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 801712 | MC2840 | Diodo de señal pequeña. Para la aplicación general de la conmutación. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 35 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 801713 | MC2841 | PARA EL TIPO EPITAXIAL DE LA CONMUTACIÓN DEL SILICIO DE ALTA VELOCIDAD DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
| 801714 | MC2841 | PARA EL TIPO EPITAXIAL DE LA CONMUTACIÓN DEL SILICIO DE ALTA VELOCIDAD DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
| 801715 | MC2842 | MC2842 | Isahaya Electronics Corporation |
| 801716 | MC2842 | MC2842 | Isahaya Electronics Corporation |
| 801717 | MC2843 | MC2843 | Isahaya Electronics Corporation |
| 801718 | MC2843 | MC2843 | Isahaya Electronics Corporation |
| 801719 | MC2844 | Diodo de señal pequeña. Para la aplicación de conmutación de alta velocidad. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 75 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 801720 | MC2845 | Diodo de señal pequeña. Para la aplicación de conmutación de alta velocidad. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 35 V. | Isahaya Electronics Corporation |
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