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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
881641MJD50TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPNSGS Thomson Microelectronics
881642MJD50TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN 1 AMPERIO 250, 400 VOLTIOS 15 VATIOSMotorola
881643MJD50Ç$a 400V SM NPN De la EnergíaON Semiconductor
881644MJD50-1TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN 1 AMPERIO 250, 400 VOLTIOS 15 VATIOSMotorola
881645MJD50T4TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN 1 AMPERIO 250, 400 VOLTIOS 15 VATIOSMotorola
881646MJD50T4Ç$a 400V SM NPN De la EnergíaON Semiconductor
881647MJD50T4TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPNST Microelectronics
881648MJD50TFTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
881649MJD5731Transistores De Energía De alto voltaje Del Silicio de PNPON Semiconductor
881650MJD5731T4Transistores De Energía De alto voltaje Del Silicio de PNPON Semiconductor
881651MJD6036TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 4 AMPERIOS 80 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola
881652MJD6036-1TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 4 AMPERIOS 80 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola
881653MJD6036T4TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 4 AMPERIOS 80 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola
881654MJD6039TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 4 AMPERIOS 80 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola
881655MJD6039Transistores De Energía Complementarios De DarlingtonON Semiconductor
881656MJD6039-1TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 4 AMPERIOS 80 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola
881657MJD6039-DTransistores De Energía De Darlington DPAK Para Los Usos Superficiales Del MontajeON Semiconductor
881658MJD6039T4TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO 4 AMPERIOS 80 VOLTIOS 20 VATIOSMotorola
881659MJD6039T4Transistores De Energía Complementarios De DarlingtonON Semiconductor



881660MJE1123TRANSISTOR BAJO DE LA SALIDA DE PNP 4,0 AMPERIOS 40 VOLTIOSMotorola
881661MJE122ENERGÍA COMPLEMENTARIA DARLINGTONS DEL SILICIOON Semiconductor
881662MJE127ENERGÍA COMPLEMENTARIA DARLINGTONS DEL SILICIOON Semiconductor
881663MJE13002ENERGÍA TRANSISTORS(1.Ä, 300-400v, 40w)MOSPEC Semiconductor
881664MJE13002TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE 1,5 AMPERIOS NPN 300 Y 400 VOLTIOS 40 VATIOSMotorola
881665MJE130021.400W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 300V VCEO, 1.500A Ic, 8-40 hFE.Continental Device India Limited
881666MJE13002ATIPO DIFUNDIDO TRIPLE DEL MESA DEL SILICIO NPNWing Shing Computer Components
881667MJE13003Transistor De la ConmutaciónKorea Electronics (KEC)
881668MJE13003ENERGÍA TRANSISTORS(1.Ä, 300-400v, 40w)MOSPEC Semiconductor
881669MJE13003TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPNWing Shing Computer Components
881670MJE13003TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE 1,5 AMPERIOS NPN 300 Y 400 VOLTIOS 40 VATIOSMotorola
881671MJE13003Energía À 400V SM NPNON Semiconductor
881672MJE130031.400W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 400V VCEO, 1.500A Ic, 8-40 hFE.Continental Device India Limited
881673MJE13003-DTransistor De Energía Del Silicio De la Serie NPN de SWITCHMODEON Semiconductor
881674MJE13004ENERGÍA TRANSISTORS(Â, 300-400v, 75w)MOSPEC Semiconductor
881675MJE13004Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
881676MJE130042.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 300V VCEO, 4.000A Ic, 10-60 hFE.Continental Device India Limited
881677MJE13005Transistor De la ConmutaciónKorea Electronics (KEC)
881678MJE13005ENERGÍA TRANSISTORS(Â, 300-400v, 75w)MOSPEC Semiconductor
881679MJE13005TRANSFORMADORES DEL SILICIO TRANSISTOR(ELECTRONIC DE NPN, CIRCUITO DE LA ENERGÍA SWICHING)Wing Shing Computer Components
881680MJE130054 TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DEL AMPERIO NPN 400 VOLTIOS 75 VATIOSMotorola
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