| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 921121 | N10A | Paquete Dual-In-Line Moldeado 10-Lead | National Semiconductor |
| 921122 | N1153 | 5 Síncronos Programables Del Pedacito | NIKO-SEM |
| 921123 | N1164 | convertidor síncrono programable del buck de 5 pedacitos con elregulador dual de LDOs | NIKO-SEM |
| 921124 | N14A | 14 plomos (0,300 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line Moldeado | National Semiconductor |
| 921125 | N150X4-L05 | TIPO 15.0 MÓDULO DEL COLOR TFT/LCD DE XGA | etc |
| 921126 | N16A | 16 plomos (0,300 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line Moldeado | National Semiconductor |
| 921127 | N16B-0558-B240 | Especificación Resistente Del Panel De Tacto | Fujitsu Microelectronics |
| 921128 | N16B-0558-B720 | Especificación Resistente Del Panel De Tacto | Fujitsu Microelectronics |
| 921129 | N16E | 16 plomos (0,300 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line Moldeado | National Semiconductor |
| 921130 | N16G | 16 plomos (0,300 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line Moldeado, Realzado Termal | National Semiconductor |
| 921131 | N16T1630C2B | 16Mb Energía Ultra-Baja Cmos Asincrónico SRAM | etc |
| 921132 | N16T1630C2BZ | 16Mb Energía Ultra-Baja Cmos Asincrónico SRAM | etc |
| 921133 | N16T1630C2BZ-55 | 16Mb Energía Ultra-Baja Cmos Asincrónico SRAM | etc |
| 921134 | N16T1630C2BZ-70 | 16Mb Energía Ultra-Baja Cmos Asincrónico SRAM | etc |
| 921135 | N16T1630C2BZ2 | 16Mb Energía Ultra-Baja Cmos Asincrónico SRAM | etc |
| 921136 | N16T1630C2BZ2-55 | 16Mb Energía Ultra-Baja Cmos Asincrónico SRAM | etc |
| 921137 | N16T1630C2BZ2-70 | 16Mb Energía Ultra-Baja Cmos Asincrónico SRAM | etc |
| 921138 | N1705 | 7-bit y códigos 8-bit y su extensión | etc |
| 921139 | N174F158AN | Datos selectors/multiplexers | Philips |
| 921140 | N18A | 18 plomos (0,300 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line Moldeado | National Semiconductor |
| 921141 | N20A | 20 plomos (0,300 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line Moldeado | National Semiconductor |
| 921142 | N20B | 20 Plomos Paquete Dual-In-Line Moldeado Ancho De 0,300 Pulgadas | National Semiconductor |
| 921143 | N2222A | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 921144 | N22A | 22 plomos (0,300 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line Moldeado | National Semiconductor |
| 921145 | N22B | 22 plomos (0,300 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line Moldeado | National Semiconductor |
| 921146 | N24A | 24 plomos (0,600 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line Moldeado | National Semiconductor |
| 921147 | N24C | 24 plomos (0,300 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line Moldeado | National Semiconductor |
| 921148 | N24D | 24 plomos (0,300 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line Moldeado | National Semiconductor |
| 921149 | N24E | 24 plomos (0,400 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line Moldeado | National Semiconductor |
| 921150 | N2576S | 5V; 3A 52 KHz regulador de tensión de conmutación de bajada (RVS) | NIKO-SEM |
| 921151 | N2576S-3.3 | 3.3V; 3A 52 KHz regulador de tensión de conmutación de bajada (RVS) | NIKO-SEM |
| 921152 | N2576S-5 | 3.3V; 3A 52 KHz regulador de tensión de conmutación de bajada (RVS) | NIKO-SEM |
| 921153 | N2576T | 3.3V; 3A 52 KHz regulador de tensión de conmutación de bajada (RVS) | NIKO-SEM |
| 921154 | N2576T-3.3 | 3.3V; 3A 52 KHz regulador de tensión de conmutación de bajada (RVS) | NIKO-SEM |
| 921155 | N2576T-5 | 5V; 3A 52 KHz regulador de tensión de conmutación de bajada (RVS) | NIKO-SEM |
| 921156 | N25S818HA | 256 kb de la energía baja SRAM en serie | ON Semiconductor |
| 921157 | N25S830HA | 256 kb de la energía baja SRAM en serie | ON Semiconductor |
| 921158 | N28B | 28 plomos (0,600 adentro. De par en par) Paquete Dual-in-Line Moldeado | National Semiconductor |
| 921159 | N28F001BN-B120 | 1-Mbit (128K x 8) de memoria flash bloque de arranque. Velocidad de acceso 120 ns | Intel |
| 921160 | N28F001BN-B150 | 1-Mbit (128K x 8) de memoria flash bloque de arranque. Velocidad de acceso 150 ns | Intel |
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